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[学位论文] 作者：白云,,
来源：内蒙古大学 年份：2010
-tan2①和-tan2②两种形式在中期蒙古语中常见且被广泛使用。本文基与前人的研究成果,运用描写、数据统计、横向比较与纵向比较等方法,对《蒙古秘史》和《华夷译语》中的-tan...
[期刊论文] 作者：吴明辉,,
来源：初中数学教与学 年份：2010
我们知道,关于tan15°的值,可以用多种构造方法求得.那么对于tan15°、tan18°、tan22.5°、tan36°、tan54°、tan67.5°、tan72°、tan75°等这些具有一定特殊性的值...
[期刊论文] 作者：刘佳,贾彩燕,
来源：计算机工程 年份：2010
介绍一种树状朴素贝叶斯（TAN）文本分类模型,对该模型存在的阈值选取问题进行实验分析,提出不需要进行阈值选取的TAN文本自动分类框架（ATAN）。在中英文非均匀类分布测试集上对基于...
[期刊论文] 作者：王超杰,蒋洪川,张万里,向阳,司旭,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
采用反应直流磁控溅射法在A12O3陶瓷基片上制备TaN薄膜，研究了氮流量（N2／（N2＋Ar））对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明，随氮流量的增大，TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝...
[期刊论文] 作者：李杨,贾军,于珊珊,,
来源：海外英语 年份：2010
Amy Tan is one of the most popular Chinese American writers in the world.Her story is vivid and full...
[期刊论文] 作者：By Shen Liming,
来源：文化交流 年份：2010
Tan...
[期刊论文] 作者：蒋冠雄,叶晓彤,,
来源：绍兴文理学院学报(自然科学) 年份：2010
TAN是一种非常有效的贝叶斯网分类器，但其不足之处是缺少根据实际问题放宽假设限制条件的能力．首先提出了增强属性的概念，通过有差别地处理属性变量实现对TAN分类器的扩展，从而得...
[期刊论文] 作者：代波,倪经,,
来源：磁性材料及器件 年份：2010
TaN薄膜电阻由于具有高的微波承受功率、低的电阻温度系数以及良好的化学稳定性，是目前常用的功率电阻。在Ar／N2混合气氛下，利用直流反应溅射制备了面心立方结构的TaN薄膜功率电...
[期刊论文] 作者：梁福江,,
来源：中国校外教育 年份：2010
In The Bonesetter's Daughter,Amy Tan explores the complexity of Chinese American identity dilemma...
[期刊论文] 作者：高亮,杨建广,陈胜龙,杨济豪,吴玉山,,
来源：材料导报 年份：2010
TaN薄膜是一种重要的高新技术材料，主要介绍了物理气相沉积法（PVD）、金属有机化学气相沉积法（MocvD）和原子层沉积法（A1D）制备TaN薄膜的工艺技术，评述了它们各自的优缺点。从前驱体的...
[期刊论文] 作者：季鑫,周细应,宓一鸣,言智,张朝民,,
来源：金属热处理 年份：2010
用磁控溅射法在硅基材料上制备TaN薄膜,用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同工艺下磁控溅射TaN薄膜的表面形貌和组织,用纳米压痕仪和CHI电化学分析仪测试薄膜的力...
[学位论文] 作者：王超杰,
来源： 年份：2010
本文主要开展了三个方面的工作:材料方面,采用反应直流磁控溅射技术制备TaN薄膜材料,主要研究了氮流量、薄膜厚度、Al掺杂和TaN/Al多层膜结构的工艺条件对TaN薄膜微结构和电性能的影响;在微波功率薄膜电阻器方面...
[期刊论文] 作者：李永亮,徐秋霞,,
来源：半导体学报 年份：2010
The appropriate wet etch process for the selective removal of TaN on the HfSiON dielectric with an amorphous-silicon...
[会议论文] 作者：赵李江,
来源：第十八届输配电技术研讨会暨华东六省一市电机工程(电力)学会输配电技术研讨会 年份：2010
通过现场的测量数据，分析了设备介质损耗角正切值一些影响因数，如温度、设备附加物、空间干扰对、试验电压等对tanδ 测量值的影响， 本文通过对tanδ 测量值影响因素的分析，...
Structural deformation and fault activity of the Tan-Lu Fault zone in the Bohai Sea since the late P
[期刊论文] 作者：,
来源：Chinese Science Bulletin 年份：2010
The Tan-Lu Fault zone (TLFZ) is a significant fractural zone in eastern China and also a seismicity belt...
[期刊论文] 作者：马继先,李韵,刘少宇,李燕青,刘崇伟,
来源：中国电力 年份：2010
介质损耗角正切值tanδ是反映电容性设备绝缘状况的一个重要参数，受环境因素（如温度、湿度、污损）、频率及电压等级的影响。现有规程中对变压器介质损耗角正切值的温度换算做出...
[会议论文] 作者：满玉岩,
来源：2010年全国输变电设备状态检修技术交流研讨会 年份：2010
对tan δ进行在线监测是判断电缆老化的重要依据，传统的快速傅立叶变换方法由于存在栅栏效应和泄漏，而使测量结果产生偏差。本文提出了一种加窗插值的方法，并通过仿真与试验对其...
[期刊论文] 作者：蒋洪川,王超杰,张万里,向阳,司旭,彭斌,李言荣,,
来源：电子科技大学学报 年份：2010
XRD结果表明,TaN薄膜...
[期刊论文] 作者：付彦霖,
来源：电力电容器与无功补偿 年份：2010
通过对现场1组110 kV带抽头电容式电压互感器(CVT)介质损耗角正切tanδ测试实例,基于正接线的测量方法,采用AI600E型自动介质损耗电桥,对带抽头CVT的C1、C2介质损耗角正切tan...
[期刊论文] 作者：刘星,马国佳,孙刚,段玉平,刘顺华,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2010
采用微波增强的反应磁控溅射和离子注入法以及两者相结合的工艺制备了TaN系薄膜。通过X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶体结构,用微磨损仪和白光轮廓仪对样品的摩擦系数和磨损情...
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