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[学位论文] 作者：王晓宁,
来源： 年份：2012
直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成为当前半导体科学技术的前沿领域和热点。...本文采用简单的化学气相沉积法,系统地研究了平直、Z形和锯齿状GaN纳米线、GaN纳米管以及GaN薄膜的制备,及其生长机理。...同时开创性地采用水热氨化两步法制备出了GaN纳米片状结构及由棒状物类阵列排列组成的GaN薄膜,并对它们的形貌、结...
[会议论文] 作者：许正昱,许福军,黄呈橙,王嘉铭,张霞,沈波,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。...而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界...
[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,Zhonghui Li,Daqing Peng,Xun Dong,Liang Li,Jinyu Ni,张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显...
[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,张东国,Zhonghui Li,李忠辉,Daqing Peng,彭大青,Xun Dong,董逊,Liang Li,李亮,Jinyu Ni,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。...使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品...
[期刊论文] 作者：周琦,陈万军,张波,,
来源：电力电子技术 年份：2012
宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势。Si基GaN(GaN-on-Si)功率半...
[会议论文] 作者：李亮,赵德刚,江德生,刘宗顺,陈平,吴亮亮,乐伶聪,王辉,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
采用MOCVD 技术在c面蓝宝石衬底上生长了不同p-GaN厚度的InGaN/GaN p-i-n太阳能电池,p-GaN的厚度分别为0nm,50nm,150nm.通过XRD和AFM测试分析了材料的结构特性...
[会议论文] 作者：LuZhang[1]张露[2]王晓亮[3]XiaoliangWang[4]HonglingXiao[5]肖红领[6]HongChen[5]陈竑[6]CuimeiWang[5]王翠梅[6]ChunFeng[5]冯春[6]GuangdiShen[7]沈光地[8]王占国[9]ZhanguoWang[10]XunHou[11]侯洵[12],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降...
[期刊论文] 作者：By Gan Tian,
来源：高考进行时·高三英语 年份：2012
Gan Tian reports. The music stops, and someone angrily howls at 18yearold Hu Naiyu...
[期刊论文] 作者：吕元杰,林兆军,于英霞,孟令国,曹芝芳,栾崇彪,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
An Ni Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is fabricated....The flat-band voltage for the Schottky contact on the AlGaN/GaN heterostructure is obtain...
[会议论文] 作者：,
来源：2012 Postdoctoral Symposium of China on Materials Science & 年份：2012
Inductively coupled plasma (ICP) deep etching characteristics of GaN materials with an etching depth...up to 7 μm is investigated.The tapered isolation trench is transferred into GaN epitaxial layer usi...
[期刊论文] 作者：张伟,薛军帅,周晓伟,张月,刘子阳,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
An AlGaN/GaN superlattice grown on the top of a GaN buffer induces the broadening of the full width at...
[期刊论文] 作者：郭雄伟,董超俊,,
来源：现代显示 年份：2012
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层，为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN／AZ-4620刻蚀选择比，使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP），运用C12和BCl3作为刻蚀气体，改变气体总流量...
[期刊论文] 作者：张效玮,贾科进,房玉龙,敦少博,冯志红,赵正平,,
来源：半导体技术 年份：2012
由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的...
[学位论文] 作者：王晓晖,,
来源：山东大学 年份：2012
近年来,GaN基器件的研究受到了越来越广泛的关注,AlGaN/GaN HEMT的研究也有了突飞猛进的进展,但是由应力产生的压电效应问题一直限制着AlGaN/GaN HEMT材料和器件的发展。相对...
[学位论文] 作者：温晓霞,
来源：华南师范大学 年份：2012
GaN半导体材料是继Si和GaAs之后的第三代半导体材料，它的优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，如何获得...
[学位论文] 作者：杨娟,
来源：北京工业大学 年份：2012
第三代半导体材料中，GaN材料具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进展，但应力诱导的压电问题一直是AlGaN/GaN HEM...
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier
[期刊论文] 作者：曹芝芳,林兆军,吕元杰,栾崇彪,于英霞,陈弘,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Rectangular AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) were fabricated,and the gate...and the source of the HFETs consisted of AlGaN/AlN/GaN S...
,Effects of the Ⅴ/Ⅲ Ratio of a Low-Temperature GaN Buffer Layer on the Structural and Optical Proper
[期刊论文] 作者：TIAN Yu,DAI Jiang-Nan,XIONG Hui,ZHENG Guang,RYU My,FANG Yan-Yan,CHEN Chang-Qing,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
We investigate the effects of the Ⅴ/Ⅲ ratio of a low-temperature GaN buffer layer on the growth of the...overlaying nonpolar a-plane GaN film grown on r-plane s...
[会议论文] 作者：Lu Zhang,张露,王晓亮,Xiaoliang Wang,Hongling Xiao,肖红领,Hong Chen,陈竑,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Guangdi Shen,沈光地,王占国,Zhanguo Wang,Xun Hou,侯洵,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。...研究发现,降低反应室压力,(0002)面FWHM基本不变,(10-12)面FWHM大幅度增大,表明刃位错密度大幅度的增多,这是提高GaN外延层电阻率的关键。低的反...
[学位论文] 作者：冯林军,,
来源：北京交通大学 年份：2012
本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段：(1)、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数,外延生长...
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