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[期刊论文] 作者：XUE Cheng-Shan(薛成山),YANG Ying-Ge(杨莺歌),MA Hong-Lei(马洪磊),ZHUANG Hui-Zhao(庄惠照),MA Jin(马瑾),
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2003
GaN Nanowires were prepared by the post-nitridation technique....The morphology and structure of GaN nanowires are investigated by transmission-electron microscop...
[期刊论文] 作者：邵庆辉,叶志镇,黄靖云,
来源：材料导报 年份：2003
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研...
[期刊论文] 作者：肖冬萍,刘键,魏珂,和致经,刘新宇,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2003
报道了生长在蓝宝石衬底上的A1GaN／GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能．器件的栅长为1．0μm，源漏间距为4．0μm．器件的最大电流密度达到1000mA／mm，最大跨导高达198mS...
[期刊论文] 作者：YAO Shu-De,ZHOU Sheng-Qiang,YANG Zi-Jian,LU Yi-Hong,SUN Chang-Chun,SUN Chang,ZHANG Guo-Yi,VANTOMME Andre,PIPELEERS Bert,ZHAO Qiang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Mg+ and Mg++P+ were introduced into GaN by ion implantation....The structure and crystalline quality of the GaN samples were analysed by Rutherford backscattering...
[期刊论文] 作者：陈权,
来源：世界产品与技术 年份：2003
GaN直接带隙宽、电子迁移率高、击穿电场高以及热导率良好,近年来GaN体电子器件的研发进展迅速。GaN基电子器件主要包括HEMT、HBT、PD、MISFET及SAW器件。...
[期刊论文] 作者：冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：中国科学G辑:物理学、力学、天文学 年份：2003
提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度,此比值与GaN样品厚度在t...
[学位论文] 作者：刘杰,
来源：南京大学 年份：2003
AlxGsa1-xN/GaN异质结构是发展高温、高频、高功率电子器件的最重要也是最基本的结构，深受国际上的关注。...因此，AlxGa1-xN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前半导体科学与技术研究的前沿领域和热点。...本论文系统地研究AlxGa1-xN/GaN异质结构肖特基接触的制备和物理性质、AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的性质，以及AlxGa1-xN/GaN异质结构的...
[期刊论文] 作者：QINFu－wen,GUBiao,等,
来源：半导体光子学与技术：英文版 年份：2003
The pure cubic GaN(c-GaN) has been grown on (001)GaAs substrates by ECR-PAMOCVD technique at low temperature...
[期刊论文] 作者：,
来源：Semiconductor Photonics and Technology 年份：2003
The pure cubic GaN(c-GaN) has been grown on (001)GaAs substrates by ECR-PAMOCVD technique at low temperature...
[期刊论文] 作者：张泽洪,赵德刚,等,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了金属有机物化学气相外延（MOVPE）方法生长的非故障掺杂的立方相GaN的持续光电导效应，在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关，而实验则显示在立方GaN中，持续光电...
[期刊论文] 作者：段猛,郝跃,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变...
[期刊论文] 作者：沙金,江若琏,周建军,刘杰,沈波,张荣,郑有炓,
来源：半导体光电 年份：2003
采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型GaN探测器.该探测器的光谱响应表明:器件在330～360 nm内有高...
[期刊论文] 作者：严莉,陈晓阳,何世堂,李红浪,韩培德,陈振,陆大成,刘祥林,,
来源：发光学报 年份：2003
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜.为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能...
[会议论文] 作者：钟玖平,谢鸿波,高文生,钟焕荣,江杰,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
随着发蓝光的GaN半导体材料在半导体白光照明工程中的应用,高质量GaN材料的制备愈来愈受到重视.本文从生长技术和缓冲材料两方面概述了在Si衬底上制备GaN半导体材料的研究近...
[期刊论文] 作者：崔岷,黎仁凯,
来源：广西师范大学学报：哲学社会科学版 年份：2003
近百余年学术界对洪仁Gan作了广泛研究，尤其对洪仁Gan的政治主张与实践，对《资政新篇》的评价以及对洪的文化观及其历史定位等，学者们提出了各种观点。一些观点很有学术价值，有利...
[期刊论文] 作者：顾海涛,熊贵光,
来源：光学与光电技术 年份：2003
采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN 量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,...
[期刊论文] 作者：冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2003
In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio...of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray...
[期刊论文] 作者：赖天树,王嘉辉,张莉莉,林位株,
来源：光学学报 年份：2003
由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光.报道了非掺杂GaN薄膜的692 nm红色发光,并研究了非掺杂GaN薄膜的...
[期刊论文] 作者：郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,
来源：激光与光电子学进展 年份：2003
简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。...
[期刊论文] 作者：DehengZHANG QingpuWANG YunyanL,
来源：材料科学技术：英文版 年份：2003
This paper presents the UV photoconductivity properties of GaN films doped with different Mg concentrations...
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