【摘 要】
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报道了生长在蓝宝石衬底上的A1GaN／GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能．器件的栅长为1．0μm，源漏间距为4．0μm．器件的最大电流密度达到1000mA／mm，最大跨导高达198mS／mm，转移
【机 构】
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中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室
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报道了生长在蓝宝石衬底上的A1GaN／GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能．器件的栅长为1．0μm，源漏间距为4．0μm．器件的最大电流密度达到1000mA／mm，最大跨导高达198mS／mm，转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点．同时由所测得的S参数推出栅长为1．0μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为18．7GHz和19．1GHz．
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