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[期刊论文] 作者：FAN Xiaoming,YE Peiyi,ZHAO Tong,XU Lianyou,CHENG Xiaomin,
来源：武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版） 年份：2021
The microstructure and thermal characteristics of Mg-36％Ga, Mg-43％Ga, and Mg45％Ga(wt％) alloys were investigated...The experimental results show that the microstructure of Mg-36％Ga alloy is mainly composed of primary...α-Mg phase and α-Mg+Mg5Ga2 eutectic phas...
[期刊论文] 作者：钟健,邓利涛,胡世鹏,吴晓光,P.C.Srivastava,A.Saxena,李广生,郑云,李聪博,陈后明,贺创业,周文奎,朱保吉,樊启文,华辉,孙君杰,孙慧斌,甘林,赵海歌,罗奇,吴正新,
来源：中国物理C:英文版 年份：2021
Excited states in the odd-A nucleus 71Ga have been studied via the 70Zn(7Li,a2n)71Ga fusion-evaporation...
[期刊论文] 作者：Khozima Hamasha,Qassem I Mohaidat,Mahdi Lataifeh,Ibrahim Bsoul,Sami H Mahmood,
来源：武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版） 年份：2021
Ga-doped Yttrium Iron Garnet (Y3GaxFe5-xO12, Ga:YIG) was prepared by solid state reaction method and...
[期刊论文] 作者：Jian Zhong,Li-Tao Deng,Shi-Peng Hu,Xiao-Guang Wu,P.C.Srivastava,A.Saxena,Guang-Sheng Li,Yun Zheng,Cong-Bo Li,Qi-Ming Chen,Chuang-Ye He,Wen-Kui Zhou,Bao-Ji Zhu,Qi-Wen Fang,Hui Hua,Jun-Jie Sun,Hui-Bin S,
来源：中国物理C（英文版） 年份：2021
Excited states in the odd-A nucleus 71Ga have been studied via the 70Zn(7Li,α2n)71Ga fusion-evapora-tion...
[学位论文] 作者：何红红,
来源：甘肃农业大学 年份：2021
赤霉素参与植物的各种非生物胁迫响应,并且外源施加GA_3能够提高植株对盐胁迫的耐受性。...赤霉素氧化酶基因GA2ox、GA3ox和GA20ox已经在一些模式植物中被研究具有提高植株的耐盐胁迫能力,因此本文以葡萄为研究对象,通过生物信息学方法对葡...
[期刊论文] 作者：张殷,武利会,范心明,曾庆辉,
来源：广东电力 年份：2021
电能质量扰动的准确识别与有效分类是改善与治理电能质量问题的前提,针对当前电能质量扰动识别与分类存在的不足,提出一种基于改进S变换和遗传算法(genetic algorithm,GA)优...
[学位论文] 作者：徐礼磊,
来源：南京邮电大学 年份：2021
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研究领域都有极其广阔的应用前景。...本论文针对Ga2O3/Ga N相关FET的基本特性、电流崩塌效应展开了详细研究。...取得的相关研究成果如下:ε-Ga2O3与m-Ga N形成的异质结可以产生1014cm-2量级的极化电荷,比传统的Al Ga N/Ga N异质结提高了一个量级。由该异...
[期刊论文] 作者：CHEN Wen-Fa,LIU Bin-Wen,JIANG Xiao-Ming,GUO Guo-Cong,
来源：结构化学 年份：2021
A new quaternary metal thiophosphate,Cs2Ga3PS8,in triclinic Pi space group has been successfiully synthesized...reactive-flux method.Its structural framework is derived from well-known AMⅢMⅣQ4 (A =alkali metal;MⅢ =Al,Ga...,In;MⅣ =Si,Ge,Sn;Q =S,Se) system...
[学位论文] 作者：杨爱宏,
来源：桂林理工大学 年份：2021
近年来,一些Ga基微波介质陶瓷因具有低的介电常数εr和高的品质因数（Q×f）而受到研究者们的广泛关注。...本文对系列新型Mg3Ga2GeO8、Mg7Ga2Ge O12和Mg4Ga4Ge3O16陶瓷的烧结特性、晶体结构、本征损耗和微波介电性能等进行了研究。...同时通过Li、Ga复合取代对Mg2-2x（Li Ga）xGa4O8（x=0、0.25、0.50、0.6、0.65、0.75、0.85、1）尖晶石结构固...
[期刊论文] 作者：周立俊,黄腾,王思捷,吴壮壮,,
来源：地理空间信息 年份：2021
利用支持向量回归(SVR)和遗传算法(GA)参数寻优,建立了基于GA-SVR的地铁隧道沉降预测模型,可提高地铁隧道沉降预测的精度。...利用长期实测的地铁结构监测数据对SVR模型进行训练,并通过GA优化SVR模型的3个参数;利用训练模型均方误差结合留一交叉验证的方法确定GA的适应度。...
[学位论文] 作者：杨士彪,
来源：广西大学 年份：2021
GA是2014年经广西壮族自治区人民政府批准成立的面向东盟的技术转移平台,GA的发展对加强和推进广西与东盟国家的科技合作具有重要的战略意义。...“十三五”期间,由于缺乏科学的发展规划指引,导致目前GA的技术转移形式单一,战略核心业务尚不明晰,未能有效承担起自治区赋予的职责与使命。...2020年既是“十三五”发展规划的收官之年,更是GA科学谋划未来五年发展、制定“十四五”发展规划的关键之年。在“一带一路”倡...
[期刊论文] 作者：侯旭东 谭佳欣,
来源：安徽农业科学 年份：2021
于盛花期分别使用12.5 mg/L GA3、25.0 mg/L GA3、25.0 mg/L GA3+5.0 mg/L CPPU进行处理，于花后14 d分别使用25.0 mg/L GA3、25.0 mg/...L GA3+ 2.5 mg/L CPPU、25...
[期刊论文] 作者：YANG Ying-li,LIU Zeng-guang,WANG Guo-dong,WANG Ying,YUAN Qing,FU Guang-sheng,
来源：光电子快报（英文版） 年份：2021
intensity and temperature for a coupling sur-face quantum dots (SQDs) structure which consists of one In0.3Ga0.7As...SQDs layer being stacked on multi-layers of In0.3Ga0.7As buried quant...
[学位论文] 作者：龚义清,,
来源：南京大学 年份：2021
作为一种新型超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_2O_3)在材料外延、功率器件和日盲探测器件研究方面已经取得显著进展。...研究表明Ga_2O_3材料具有多种物相,除了稳定相的β-Ga_2O_3之外,对其它亚稳相Ga_2O_3仍缺少系统性的认识和应用。...其中具有铁电极化特性的κ-Ga_2O_3有望被应用于功能存储器件和低功耗晶体管,但是现有报道对这种材料的外延方法、晶格结构的理解仍然不充分,无法满足实际器件...
[学位论文] 作者：高灿灿,
来源：贵州大学 年份：2021
作为新兴的第三代半导体材料,β-Ga2O3因其优异的物理、化学以及光电特性,在功率器件、日盲紫外探测器、透明导电薄膜等领域具有广阔的应用前景。...高质量薄膜是制备高效Ga2O3基器件的基础,β-Ga2O3薄膜的制备、表征及光电特性的研究具有深刻的意义。...本文以C面蓝宝石（Al2O3）作为衬底,开展了射频磁控溅射沉积β-Ga2O3非晶薄膜、水平管式高温扩散炉异位退火的方法制备β-Ga2O3多晶薄膜的研究。...
[期刊论文] 作者：王 超,赛青林,齐红基,
来源：量子电子学报 年份：2021
β-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。...基于本研究团队在如何制备 β-Ga2O3 单晶及如何通过掺杂五族离子实现对 β-Ga2O3 单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究, 对 β-Ga2O3 单晶的制备方法、Ta5 与 Nb5...掺杂 β-Ga2O3 单晶的电学性质及光学性质进行了综述。...
[期刊论文] 作者：王文然,解振强,诸葛雅贤,白云赫,管乐,吴伟民,张培安,郑婷,
来源：中国农业科学 年份：2021
【目的】鉴定vvi-miR171s成员及其靶基因,明确vvi-miR171s成员及其靶基因在葡萄种子发育中的重要作用及其响应赤霉素(Gibberellin,GA)调控种子发育的表达模式。【方法】以‘...
[期刊论文] 作者：Xuan Zhao,Xiao Tian,Zhan-Quan Yao,Li-Juan Zhao,Rui Wang,Jing Yan,
来源：稀有金属:英文版 年份：2021
The as-cast Cu-doped Fe83Ga17 alloys were prepared by arc-melting.The microstructures and magne-tostrictions...of(Fe83Ga17)100-xCux(x=0,3,6,9,12,15)alloys were in...
[期刊论文] 作者：王丹,王晓丹,马海,陈华军,毛红敏,曾雄辉,
来源：激光与光电子学进展 年份：2021
相比于第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓（Ga2O3）具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点。...掺杂是一种高效优化材料物性特征的方法，可以拓宽Ga2O3在不同领域的应用范围。本文对近年来Ga2O3材料的稀土掺杂以及其他元素的掺杂进行了综述，着重分析了稀土掺杂Ga2O3的发光特性。最后...
[期刊论文] 作者：刘武,朱成皖,李昊天,赵谡玲,乔泊,徐征,宋丹丹,
来源：物理学报 年份：2021
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,Ga含量(Ga/(Ga+In),GGI)梯度调控是在不损失短路电流情况下,获得高开路电压的一种有效方法.本文基于对薄膜电池效率极限的对比分析...
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