【摘 要】
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Photoluminescence (PL) was investigated as functions of the excitation intensity and temperature for a coupling sur-face quantum dots (SQDs) structure which consists of one In0.3Ga0.7As SQDs layer being stacked on multi-layers of In0.3Ga0.7As buried quant
【机 构】
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School of Physics and Electronic Information Engineering,Henan Polytechnic University,Jiaozuo 454000
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Photoluminescence (PL) was investigated as functions of the excitation intensity and temperature for a coupling sur-face quantum dots (SQDs) structure which consists of one In0.3Ga0.7As SQDs layer being stacked on multi-layers of In0.3Ga0.7As buried quantum dots (BQDs).Accompanied by considering the localized excitons effect induced by inter-face fluctuation,carrier transition between BQDs and SQDs were analyzed carefully.The PL measurements confirm that there is a strong carrier transition from BQDs to SQDs and this transition leads to obvious different PL character-istics between BQDs and SQDs.These results are useful for future application of SQDs as surface sensitive sensors.
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