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[学位论文] 作者：卢超,
来源：吉林大学 年份：2022
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功率电子器件的制备。...沿着c轴方向生长的GaN存在两种极性,即镓极性（也称金属极性）和氮极性。将沿+c轴[0001]方向外延生长的GaN称为镓极性GaN,沿-c轴[0001 ]方向外延生长的GaN称为氮极性GaN。...由于镓极性GaN较高的晶体质量,目前的GaN基器件绝大部分为金属极...
[期刊论文] 作者：单月晖, 连潞文, 高媛, 赖凡,
来源：微电子学 年份：2022
氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，受到学术界和产业界的广泛关注，正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。...对于射频（RF）GaN技术，在电信和国防两大主要应用增长行业，尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求，推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展。...文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路（MMIC）、GaN器件空间应用...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子产品世界 年份：2022
GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料,以高频、高压等为特色。但长期以来,由于工艺、成本等因素制约,GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。...在新的一年里,GaN的市场前景将如何?GaN技术和应用有何新突破?为此,本媒体邀请了部分GaN资深企业,介绍一下GaN功率器件的新动向。...
[期刊论文] 作者：张欣,潘三博,
来源：电气传动 年份：2022
针对GaN功率器件在应用的过程中可能出现误导通、电压尖峰与振铃、过电压、过电流等问题,通过简要分析GaN功率器件驱动回路、过电压、过电流故障问题出现原因,设计一种GaN功率器件独立拉灌输出、过电流分级保护栅极驱动电路....当GaN功率器件出现额定电流两倍以内的过电流现象时,可实现GaN功率器件快速关断;当GaN功率器件出现额定电流两倍以上过电流现象时,可实现GaN功率器件缓慢关断,对GaN开关器件电流故障做出动作保护....
[期刊论文] 作者：梁琦, 杨孟骐, 张京阳, 王如志,
来源：物理学报 年份：2022
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量和弄清GaN薄膜光响应机制,研究了GaN缓冲层制备温度对GaN...薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究表明,随着GaN缓冲层制备温度的增加,GaN薄膜的结晶质量先提高后降低,在缓冲层温度为875℃时,结晶质量最高,此时计算得出的总位错密度为9.74×10~9 cm-...
[学位论文] 作者：郑志恒,
来源：电子科技大学 年份：2022
氮化镓（GaN）器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅（Si）器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其输出功率密度更大,驱动力更强,在电力电子变换领域具有广阔的市场前景...但GaN器件存在动态电阻退化现象,此现象大幅增大了GaN器件的导通电阻,给GaN的损耗估算带来了极大的不确定性,制约了GaN器件的进一步发展。准确测量GaN功率器件的导通电阻可以为电力电子应用...
[学位论文] 作者：邓思宇,
来源：电子科技大学 年份：2022
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效率和高功率密度应用领域独具优势。...GaN高迁移率电子晶体管（HEMT）因为栅极边缘电场尖峰过大、泄漏电流过大等问题使其耐压远未达其理论极限。...同时,传统GaN HEMT因为高浓度2DEG的存在通常为耗尽型器件,实现增强型需通过耗尽栅下2DEG,导致阈值电压与...
[期刊论文] 作者：郭初康, 王蕾, 朱登洁, 卢春生,
来源：半导体技术 年份：2022
GaN压电半导体陶瓷应用前景广泛，而断裂强度是结构、器件设计与可靠性评估的关键参数。GaN压电半导体陶瓷构件的断裂强度和使用寿命与其微观组织及内在缺陷密切相关。...基于描述准脆性断裂行为的边界效应模型系统研究了极化与退极化GaN压电半导体陶瓷的拉伸强度和断裂韧性。结果表明，GaN试样的拉伸强度和断裂韧性可由正态分布分析中的峰值荷载及团聚体平均粒度确定。...极化使GaN压电半导体陶瓷团聚体细化，造成极化试样...
[期刊论文] 作者：REN Dahua,QIAN Kai,LI Qiang,ZHANG Yuan,ZHANG Teng,
来源：武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版） 年份：2022
The electronic structure and optical property of stacked GaN-WS2 heterostructure are explored with HSE06...The direct band gap of GaN-WS2 heterostructure is 1.993 eV, which is obviously a type-Ⅱ band alignment...
[学位论文] 作者：陈延博,
来源：北方工业大学 年份：2022
GaN具有优异的材料特性,适合制备高频高压大功率器件。...GaN器件结构有横向结构器件和垂直结构器件,因为垂直结构的GaN器件具有很多横向结构器件没有的优势,近年来引起了国内外广泛的研究并且取得了很多研究成果,若能将这些研究成果转化成我们日常使用的器件,将会更好的促进节能减排...但受制于GaN外延片的价格和器件生产制造成本等因素,GaN垂直结构器件在产业化上进展缓慢。本文提出利用现有成熟的Si-CMOS...
[期刊论文] 作者：张法碧, 杨倩倩, 梁智文, 王琦,
来源：桂林电子科技大学学报 年份：2022
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD...等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构的性能较好,其样品表面形貌较佳,Ga...
[期刊论文] 作者：石珂,齐苏敏,赵镥瑶,王妍,
来源：曲阜师范大学学报（自然科学版） 年份：2022
GAN生成图像质量评价是指对GAN生成的图像进行评价,判断生成图像的失真度是否影响观察者的信息获取和主观感受.目前,GAN生成图像质量评价算法较少且算法运行效率不高.该文提出一种基于近邻算法的生成图像质量评价...(Near-Neighbor based Generated Image Quality Assessment,NN-GIQA)算法,实现对GAN生成图像的自动、客观、高效评价.首先,基于ANN算法获取生成图像的近邻构成相似图像候选池...
[期刊论文] 作者：马立龙,谢敏超,欧伟,梅洋,张保平,
来源：光子学报 年份：2022
提出了一种新的Si衬底上GaN微盘谐振腔的制备方式,避免了传统Si基GaN器件中晶体质量较差以及外延层较厚对器件性能的影响.本工作中GaN的外延生长使用蓝宝石衬底,随后将外延层转移至硅衬底上进行微盘谐振腔的制备....外延生长时靠近衬底侧的GaN富缺陷层可使用减薄抛光的方式去除,并且通过简单湿法刻蚀二氧化硅牺牲层即可实现GaN微盘与Si衬底之间的空气间隙结构.基于较好的晶体质量与低损耗的谐振腔,实现了高Q值的Si基...GaN微盘谐振腔低阈值激射,阈值能量低至5.2 nJ/pulse,Q值最高为10487.同时,器件...
[学位论文] 作者：王磊,
来源：桂林电子科技大学 年份：2022
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。...相比于传统的Si基器件,GaN HFET突显出更大的吸引力,且被认为是下一代宽带隙互补逻辑集成电路（IC）以及高压功率器件领域中最有希望的候选者。...但传统GaN HFET由于各种原因导致器件提前发生击穿,严重阻碍其在高压领域的应用。并且由于低空穴迁移率使得P沟道GaN HFE...
[学位论文] 作者：马舒琦,
来源：杭州电子科技大学 年份：2022
随着5G时代的到来,以硅（Si）和砷化镓（Ga As）材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓（GaN）为首的第三代宽禁带半导体逐渐显露出独特的优势。...其中,GaN HEMT器件具有高功率密度、高频率特性,是目前最有发展前景的射频功率器件。精确的GaN HEMT器件模型可以大大缩短研发周期、降低成本和提高电路生产的良率。...由于GaN HEMT器件具有复杂的自热效应...
[学位论文] 作者：朱松冉,
来源：河北工业大学 年份：2022
第三代半导体材料氮化镓（GaN）,由于其具有宽禁带、高电子饱和速率等优越特性,是目前研究的热点材料。GaN基器件的应用和推广,有赖于GaN外延材料质量的改善。...在众多的改善材料性能的方法中,离子注入方法以其不可取代的优势,在区域掺杂隔离相邻器件、高电子迁移率晶体管（HEMT）的有源区的制备、基于自旋电子学理论的GaN稀磁半导体材料的研究中都得到了广泛的应用。...
[学位论文] 作者：施宁萍,
来源：桂林理工大学 年份：2022
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一,是理论上转换效率最高的材料体系,成为现阶段的研究热点。...本论文简单介绍了GaN材料特性,介绍了GaN电力电子器件的研究进展和热点。总结了国内外研究的技术手段和问题。为了改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能,为此提出了从工艺方面和器件尺寸方面改进。...
[期刊论文] 作者：王保柱,赵晋源,苏雪平,张明,杨琳,侯卫民,
来源：电子器件 年份：2022
GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛应用于各种领域的电子设备中。由于其经常被用于高频、高温和高辐射的环境中，过高的环境应力会加速器件的损伤。...因此外加应力下GaN HEMT器件的寿命成为了当前研究的热点。基于不同机构对GaN HEMT器件的三温度直流测试结果，运用多元线性回归法和图估计法对GaN HEMT器件在正常使用温度下的寿命进行...
[期刊论文] 作者：吴家锋,赵夕彬,徐守利,陈鹏,银军,默江辉,
来源：半导体技术 年份：2022
基于功率放大器的动态负载线理论，参照Si和GaAs功率器件的降额准则，总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数，即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75...通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间（MTTF）,并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据，得出了GaN功率器件不同等级...
[学位论文] 作者：王彬,
来源：电子科技大学 年份：2022
第三代半导体氮化镓（GaN）因其可以实现更高的开关频率和更高效的电源,近几年迅速发展,被逐步应用于各个领域。...增强型GaN器件与Si基器件相比具有更低的导通电阻,更快的开关频率,对其栅极驱动的性能提出更高的要求,因此研究增强型GaN功率器件栅极驱动芯片的意义重大。...增强型GaN功率器件由于高的饱和速度特性,使其经常用于高频场合。但是在设计基于GaN的高频驱动电路的时候,需要着重解决三大问题:1)在设计...
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