【摘 要】
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GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料,以高频、高压等为特色。但长期以来,由于工艺、成本等因素制约,GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里,GaN的市场前景将如何?GaN技术和应用有何新突破?为此,本媒体邀请了部分GaN资深企业,介绍一下GaN功率器件的新动向。
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GaN（氮化镓）作为新兴的第三代宽禁带半导体材料,以高频、高压等为特色。但长期以来,由于工艺、成本等因素制约,GaN还处于Si（硅）和SiC（碳化硅）应用的夹缝之间。在新的一年里,GaN的市场前景将如何?GaN技术和应用有何新突破?为此,本媒体邀请了部分GaN资深企业,介绍一下GaN功率器件的新动向。
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