搜索筛选:
搜索耗时0.8981秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：冯倩,王峰祥,郝跃,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均处于张力作用之下,但是GaN:Mg样品却由于Mg的...
[期刊论文] 作者：赵玉宾,赵桂萍,邵素君,,
来源：脑与神经疾病杂志 年份：1993
本文报告了83例病变累及周围前庭神经、中枢前庭～脑干、小脑病例的眼震电图(ENG)表现。病变性质包括肿瘤、血管病,变性性疾病等。ENG对以上部位质变的定位诊断提供了客观依据;...
[期刊论文] 作者：明珠,夏梅花,
来源：海外英语（上） 年份：2015
sets out to conduct the effectiveness of process-oriented approach on the ESL writing teaching for non-Eng...
[期刊论文] 作者：谢世勇,郑有炓,陈鹏,张荣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度...
[期刊论文] 作者：谢世勇,郑有,陈鹏,张荣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度...
[期刊论文] 作者：Hong TIAN,Jing-yan WU,Shuang-h,
来源：中国病毒学 年份：2004
To gain a better understanding of the genetic diversity and evolution of PRRSV in the Ningxia Hui Nationality...
[期刊论文] 作者：王立, 李述体, 江风益, 余淑娴,,
来源：化学教育 年份：2001
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学气相淀积法....
[期刊论文] 作者：Li-Wen Cheng,Jian Ma,Chang-Rui Cao,Zuo-Zheng Xu,Tian Lan,Jin-Peng Yang,Hai-Tao Chen,Hong-Yan Yu,Shu-Dong Wu,Shun Yao,Xiang-Hua Zeng,Zai-Quan Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
In this study, an InGaN lighting-emitting diode (LED) containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers is...
[会议论文] 作者：许正昱,许福军,黄呈橙,王嘉铭,张霞,沈波,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。...而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界...
,The effect of single A1GaN interlayer on the structural properties of GaN epilayersgrown on Si(111)
[期刊论文] 作者：Wu Yu-xin,Zhu Jian-Jun,Zhao De-Gang,Liu zong-shun,Jiang De-sheng,Zhang Shu-Ming,Wang Yu-Tian,Wang Hui,Chen Gui-Feng,Yang Hui,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
High-quality and nearly crack-free GaN epitaxial layer was obtained by inserting a single AlGaN interlayer...between GaN epilayer and high-temperature AIN buffer...
,Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thi
[期刊论文] 作者：马晓华,张亚嫚,王鑫华,袁婷婷,庞磊,陈伟伟,刘新宇,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
In this paper, the off-state breakdown characteristics of two different AlGaN/GaN high electron mobility...transistors (HEMTs), featuring a 50-nm and a 150-nm GaN...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国集成电路 年份：2018
日前，GaN Systems公司（GaN SystemsInc．）和罗姆（ROHMCo．，Ltd．）为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。...此次合作将充分发挥GaNSystems公司GaN功率晶体管的业界...
[期刊论文] 作者：M.BOKOWSKI,I.GRZEGORY,B.LUCZNIK,T.SOCHACKI,M.KRYKO,G.KAMLER,S.POROWSKI,,
来源：Science China Technological Sciences 年份：2011
Recent results of High Nitrogen Pressure Solution (HNPS) growth of GaN crystals deposited on and separated...from 2 inch,and smaller,GaN substrates grown by Hydri...
[期刊论文] 作者：牛慧恩,汪一鸣,
来源：中国地理科学：英文版 年份：1993
The southern part of the Ningxia Hui Autonomous Region in China was infamous for its poverty and serious...
[期刊论文] 作者：Reza Karami,Masoud Sabaghi,Mas,
来源：世界工程和技术(英文) 年份：2017
The potential impact of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) with two channel layers of...GaN/InAlGaN is reported....
Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thic
[期刊论文] 作者：马晓华,张亚嫚,王鑫华,袁婷婷,庞磊,陈伟伟,刘新宇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper,the off-state breakdown characteristics of two different AlGaN/GaN high electron mobility...transistors(HEMTs),featuring a 50-nm and a 150-nm GaN th...
Comparison of GaN/AlGaN/AlN/GaN HEMTs Grown on Sapphire with Fe-Modulation-Doped and Unintentionally
[期刊论文] 作者：巩稼民,王权,闫俊达,刘峰奇,冯春,王晓亮,王占国,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) grown on Fe-modulation-doped(AID) and unintentionally...doped(UID) GaN buffer layers are investigated and comp...
[期刊论文] 作者：CHEN Chang-chun,CAO Jian-qing,,
来源：核技术 年份：2004
GaN film grown on Si substrate was characterized by Rutherfordbackscattering/Channeling (RBS/C)....The experimental results show that the thick-ness of GaN epilay...
[期刊论文] 作者：袁玲, 李嘉欣, 鲁玉梅, 南一,,
来源：实用医学杂志 年份：2021
目的探究回回甘松饮(Hui⁃hui Gan⁃song Yin,HGY)对糖尿病肾病(diabetic nephropathy,DN)大鼠肾小球的保护作用。方法随机选取10只大鼠作为空白对照组(NC)。...
[会议论文] 作者：任尧成,李伟,李存才,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可...
相关搜索：
