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[期刊论文] 作者：张小英,阮育娇,陈松岩,王元樟,甘亮勤,杜旭日,,
来源：厦门理工学院学报 年份：2010
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合...
[期刊论文] 作者：廖小平,许居衍,
来源：世界产品与技术 年份：2003
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声SiGe/Si HBT结构,并已初步研制成功台面结构Si...
[期刊论文] 作者：吴春武,刘家瑞,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比...
[期刊论文] 作者：吴春武,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,朱沛然,
来源：半导体学报 年份：1989
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比...
[会议论文] 作者：Zewen Lin,Chao Song,Yanqing Guo,Xiang Wang,Jie Song,Xintang Huang,Rui Huang,
来源：International Conference on Nanoscience & Technology,China 2 年份：2013
In the last decade, considerable efforts have been devoted to the development of an efficient Si-based...light emitter that could enable integration of photonics with Si microelectronics.In the present...
[会议论文] 作者：李建平,刘金平,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该工作研究了采用GSMBE外延Si/SiGe/Si HBT材料中，Si2H6预热温度对低温Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速旱有很大提高。...
[期刊论文] 作者：Bonan Liu,Hao Lu,Geng Chu,Fei Luo,Jieyun Zheng,Shimou Chen,Hong Li,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
A series of Si/C composites were fabricated based on pitch and Si powders with particle sizes of 30,...The size effects of the Si particles...
[期刊论文] 作者：张凤巍,李智,彭梅香,,
来源：铸造 年份：2011
研究了Al-20%Si中间合金对铸造Al-Si合金显微组织的影响。结果表明：向Al-Si合金熔体中加入1%的Al-20%Si中间合金,Al-7%Si合金中的共晶Si由粗大的板片状变为细密的纤维状或点状...
[期刊论文] 作者：汪建强,高华,张剑,孟凡英,叶庆好,,
来源：半导体学报 年份：2012
We investigate the recombination mechanism in an a-Si/c-Si interface,and analyze the key factors that...
[期刊论文] 作者：赵晓锋,温殿忠,,
来源：半导体学报 年份：2004
A MAGFET using an nc-Si/c-Si heterojunction as source and drain was fabricated by CMOS technology, using...two ohm-contact electrodes as Hall outputs on double si...
[期刊论文] 作者：陈松岩, 何国荣, 谢生,,
来源：量子电子学报 年份：2004
研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算...
[期刊论文] 作者：谭长华,陈文茹,
来源：半导体技术 年份：1984
本文提出了一种快速测定Si-Si O_2界面态分布的方法.此方法是以恒定电流条件下的MOS深耗尽态和准静态电压瞬态特性为基础的.在此方法中:半导体的表面势(ψ_s)与MOS的栅压(V)...
[期刊论文] 作者：刘英,陈难先,
来源：半导体学报 年份：2002
运用第一原理赝势技术，计算了金刚石结构晶体C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化。根据陈氏三维晶格反演得到了C－C、Si-Si、Ge-Ge的原子间相互作用对势；根据弹性系...
[期刊论文] 作者：梅丁蕾,杨谟华,李竞春,于奇,张静,徐婉静,谭开洲,
来源：半导体学报 年份：2004
在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术．通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层，提高了SiGe层的弛豫度．当Ge主分为20％时，利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex...
[期刊论文] 作者：梁永超,冉晨阳,
来源：低温物理学报 年份：2020
采用分子动力学模拟方法研究液态富硅Au20Si80合金的快速凝固过程.在此基础上,使用双体分布函数、配位数、最大标准团簇、能量和三维可视化等方法研究Au-Si合金在凝固过程中的微观结构规律.结果指出,体系中形成种类繁多的非常规非晶结构...,以类Si结构为主.类Si结构具有如下特点:中心原子几乎都为Si;以Si原子为中心的类Si-A、类Si-B、类Si-C、类Si-D配位数为5,其外围原子元素组成类型主要为4个Si和1个Au;以Si原子为中心的类...Si-E配位数为4,其外围原子元素组成类型主要为4个Si;五种类S...
[期刊论文] 作者：Song Jian-Jun,Zhang He-Ming,Hu Hui-Yong,Dai Xian-Ying,Xuan Rong-Xi,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2007
The feature of conduction band (CB) of Tensile-Strained Si(TS-Si) on a relaxed Si1-xGex substrate is...
[期刊论文] 作者：汪建强,高华,张剑,张松,李晨,叶庆好,孟凡英,
来源：上海交通大学学报 年份：2011
通过对非晶硅/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si（N＋）/c-Si（P）结构电池性能的影响.研究发现...
[期刊论文] 作者：汪雷,唐景昌,王学森,
来源：物理学报 年份：2004
利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期T为350—1075K范围内，Si在两种衬底表面上都形...
[期刊论文] 作者：袁崇胜,杨钢,刘惠军,郑兴贵,,
来源：有色金属(冶炼部分) 年份：2006
介绍Al-Si-Mg铸造铝合金Si偏析产生的原因，分析了电磁搅拌和水冷浇铸对铸造铝合金Si偏析的影响，提出了降低Al-Si-Mg铸造铝合金Si偏析的生产工艺措施。...
[期刊论文] 作者：吴锋民,黄辉,吴自勤,
来源：半导体学报 年份：2000
Growth of nano Si and Al wires on the Si(100) surfaces is investigated by computer simulation, including...
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