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利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
Si/Si低温键合界面的XPS研究
【摘 要】
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利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合
【机 构】
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厦门理工学院数理系,厦门大学物理系半导体光子学研究中心
【出 处】
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厦门理工学院学报
【发表日期】
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2010年3期
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