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[期刊论文] 作者：,
来源：数学通报 年份：2001
“已知sinα+sinβ=sinα·sinβ,求sin α+β/2的值.”,这是文[1]给出的一道解答题....
[期刊论文] 作者：党庆寿,
来源：中学数学 年份：1996
ｓｉｎ（α±β）＝ｓｉｎαｃｏｓβ±ｃｏｓαｓｉｎβ的几何简证２２５２１１江苏省江都市大桥中学党庆寿本文给出恒等式ｓｉｎ（α±β）＝ｓｉｎαｃｏｓβ±ｃｏｓαｓｎｉβ的一个几何简证．如图１，△ＡＢＣ为Ｒｔ...
[期刊论文] 作者：王国平,徐柏英,
来源：数学教学研究 年份：1998
用ｓｉｎθ＝ｓｉｎα·ｓｉｎβ解高考试题王国平徐柏英（河南省太康一中４６１４００）如图１所示，ＢＯ是斜线ＢＡ在平面Ｍ内的射影，ＢＣ是平面Ｍ内过点Ｂ的一条射线．若∠ＡＢＯ＝θ，∠ＡＢＣ＝α，平面...ＡＢＣ与平面Ｍ所成二面角为β，易证得ｓｉｎθ＝ｓｉｎα·ｓ......
[期刊论文] 作者：唐从仁,陆海泉,,
来源：数学教学通讯 年份：1997
sinα+cosα与 sinαcosα常出现于各类三角问题之中.解决这类问题的关键是灵活运用 sinα+cosα与sinαcosα的关系,问题便可顺利获解.基本关系(sinα+cosα)~2=1+2sinαcos...
[期刊论文] 作者：吴华太,
来源：中学物理教学参考 年份：1998
ｓｉｎθ≈ｔｇθ的妙用吴华太（江苏高邮市八桥中学，２２５６４２）在角度很小时，ｓｉｎθ和ｔｇθ的值是十分接近的，如：ｓｉｎ１°＝０．０１７４５ｔｇ１°＝０．０１７４５ｓｉｎ２°＝０．０３４８９ｔｇ２°＝...０．０３４９２ｓｉｎ３°＝０．０５２３３ｔｇ３°...The magical effect of sinθ≈tgθ Wu Huatai (Baqiao Middle School, Gaoy...
[会议论文] 作者：昝青峰,黄勇,汪长安,李淑琴,
来源：第十一届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2000
采用流延法制备了SiN块体及SiN/Bn层状材料。流延法已经在陶瓷的制备工艺各到了广泛的应用，但是很少用于SiN体系，尤其是水基流延法，用流延法制备SiN/Bn层状材料，可以较为容易的控...
[会议论文] 作者：昝青峰,黄勇,汪长安,李淑琴,
来源：第十一届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2000
采用流延法制备了SiN块体及SiN/Bn层状材料。...流延法已经在陶瓷的制备工艺各到了广泛的应用，但是很少用于SiN体系，尤其是水基流延法，用流延法制备SiN/Bn层状材料，可以较为容易的控制坯片的厚度，得到性能稳定的层状材料。...
[期刊论文] 作者：刘金国,
来源：克拉玛依学刊 年份：1991
现行高中代数课本(乙种本)下册第46页一道例题:设sinα/2≠0,试用数学归纳法证明sum from k=1 to n(sinknα)=(sin(nα/2)sin(n+1)α/2)/sinα/2,教材中用数学归纳法给出了证...
[期刊论文] 作者：党庆寿,
来源：中等数学 年份：1998
命题 在△ABC中,m≥l,m∈R,则 ∏sin(A/m)≤(sin(π/3m))其中积号∏关于A、B、C轮换,下同。 设,n∈N.先证明数列{u_n}单调递增....
[会议论文] 作者：夏钟福[1]宋聚平[1]冯晓梅[2]潘永刚[1]陈钢进[1]张冶文[1],
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
由于和IC工艺及微机械加工技术兼容，硅基二氧化硅（SiO）和氮化硅（SiN）薄膜是驻机体微型传感器领域中十分新颖的无机驻极体材料。该文描述了硅基SiO、SiN单层膜和硅基SiN/SiO双层驻...
[期刊论文] 作者：杨镇杭,,
来源：中学数学 年份：1985
我们知道:sin18°=(5~(1/2)-1)/4,通常它是通过sin(2×18°)=cos(3×18°)利用二倍角、三倍角公式展开后解方程求得的。以下我们介绍sin18°值的另外三种求法。...
[会议论文] 作者：宋青林,夏善红,陈绍凤,张建刚,
来源：第二届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2002
SiN薄膜被广泛应用于微机械和微电子器件中,其热物性在某些器件中显得很重要.为了研究SiN薄膜的热容、辐射、对流等热物性,文中设计出一种悬膜结构,并从理论上分析了此结构的传热机理.实验中利用微机械加工技术制作出不同尺寸和厚度的...SiN微尺度悬膜,并通过测试得到了SiN薄膜的热学参数....
[期刊论文] 作者：段保京,李均平,
来源：航空兵器 年份：1998
近期在导弹制导舱振动调试过程中,连续出现多枚制导舱在振动状态下,“Sin-Sin”补偿电压超过规定要求的故障,严重影响了产品的生产与交付。本文从产品原理入手,认真分析并提...
[期刊论文] 作者：俞诚,
来源：半导体技术 年份：1984
PECVD SiN膜在半导体器件表面钝化推广应用中,采用一种SiO-SiN双重结构形式.本文介绍了有关的试验数据、理论分析以及实际应用.PECVD SiN film in the semiconductor...
[期刊论文] 作者：邹楼海,,
来源：中学数学 年份：1989
由x~2+y~2=1→(x,y)=(cosθ,sinθ),反之把与cosθ、sinθ有关的问题处理在动点(cosθ,sinθ)的轨迹方程上,不但使问题明了,而且有解法新颖、别具一格之感,本文以下面例...
[期刊论文] 作者：杨绪华, 孙青,,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
采用激光束偏转法研究PECVD SiN及SiO_2的应力特性,结果表明,SiN膜的应力较大,在SiN/Si间插入一层SiO_2膜,能有效地减小SiN膜的应力。...
[期刊论文] 作者：孙青,杨银堂,庄奕琪,张忠良,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文介绍以激光反射法应力测量装置研究PE CVD SiN薄膜的应力特性。并给出了SiN膜应力与淀积温度、气体流量比、膜厚、测试温度的关系、以及退火处理对膜应力的影响,得到了本...
[会议论文] 作者：黄光团,徐立冲,
来源：第四届全国化学镀会议 年份：1998
通过对化学复合镀Ni-P-SiN的沉积速度、SiN粒子共析量、以及镀液稳定性等的研究，获得了制取含SiN粒子量高且镀液稳定性好的工艺方法．并讨论了化学复合镀Ni-P-SiN镀层的耐蚀性能...
[会议论文] 作者：程绍玉,
来源：第九届全国等离子体科学技术会议 年份：1999
该文介绍了利用微波ECR-PCVD技术制备SiN薄膜的工艺过程及沉积温度对SiN薄膜的结构成分的影响。通过红外光谱（IR）检测表明，随着沉积过程中温度的提高，SiN薄膜中H的含量逐渐减少，密...
[期刊论文] 作者：黄永源,
来源：中学生理科月刊 年份：2000
公式ｓｉｎ2 α +ｃｏｓ2 α =1反映了同一个锐角α的正弦和余弦之间的关系 .应用这一关系 ,许多较复杂的问题可获得简捷的解答 .例 1 ｓｉｎ53°ｃｏｓ37°+ｃｏｓ53°ｓｉｎ37° =.(...
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