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[期刊论文] 作者：,
来源：中国对外贸易：英文版 年份：2012
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[期刊论文] 作者：,
来源：China’s foreign Trade 年份：2012
No.1 North of Renzhuang, SongZhuang, TongZhou, Beijing(appointment only) Admission fee: RMB 20 Feng Qian...
[期刊论文] 作者：BI ZhiWei FENG Qian ZHANG JinC,
来源：中国科学：物理学、力学、天文学英文版 年份：2012
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[会议论文] 作者：Lili Tao,Xiangdong Kong,Weimin Zhong,Feng Qian,
来源：第23届过程控制会议 年份：2012
In recent years, immune genetic algorithm (IGA) is gaining popularity for finding the optimal solution of non-linear optimization problems encountered in many engineering applications. In IGA, the mut...
[期刊论文] 作者：Feng Qian,Li Qian,Xing Tao,Wang Qiang,Zhang Jin-Cheng,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[会议论文] 作者：Richard D.Ye,Benjamin N.Gantner,Huali Jin,Feng Qian,Nissim Hay,Bin He,
来源：第八届全国免疫学学术大会 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Feng Qian,Xing Tao,Wang Qiang,Feng Qing,Li Qian,Bi Zhi-Wei,Zhang Jin-Cheng,Hao Yue,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron-Mobility Transistor Using a NbAlO/Al2O3 Lamin
[期刊论文] 作者：BI Zhi-Wei,HAO Yue,FENG Qian,GAO Zhi-Yuan,ZHANG Jin-Cheng,MAO Wei,ZHANG Kai,MA Xiao-Hua,LIU Hong-Xia,,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
We investigate the characteristics of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) with a NbAlO/Al2O3 lamination diele...
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