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,A study of GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited Al2O3 as the gate dielectric
【机 构】
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School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China “,”Key Laboratory of Wide Band-Ga
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2012年1期
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