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[学位论文] 作者：游飞,,
来源： 年份：2009
E类功率放大器(功放)是一种高效率的开关类功放,并且,基于E类功放的极坐标发射机能够改善传统发射机的低效率性能。考虑到极坐标发射机对E类功放的技术需求,本文主要针对E类...
[会议论文] 作者：陈文华,王莉,冯正和,薛新,董佳兴,
来源：2009年全国微波毫米波会议 年份：2009
本文基于SiCMESFET(SiliconCarbideMetal-SemiconductorFieldEffectsTransistors)设计实现了在L波段输出功率大于30W得高效率E类功率放大器。...
[期刊论文] 作者：徐志超,吕红亮,张玉明,张义门,,
来源：微电子学 年份：2009
SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容，适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络，可以匹配至标准电阻，且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电...
[期刊论文] 作者：廖仲禹,朱晓维,徐樱杰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
研制了2．14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体（LDM0s）晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键参数Cds，并在此基础上进行电路仿真，设计了馈电...
[学位论文] 作者：廖仲禹,
来源：东南大学 年份：2009
功率放大器是无线通信系统中的关键电路之一，对无线系统的数据传输速率、覆盖范围、频谱利用效率，以及带外频谱杂散等指标都有至关重要的影响。高效率功率放大器可以提高基站设......
[会议论文] 作者：彭瑞杰,夏建新,
来源：2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会 年份：2009
本文基于时域分析方法研究的E类功率放大器的分析模型。分析结果表明当驱动脉宽占空比55.5％时，功率放大器可以安全高效地工作。相比于前人成果，采用这种分析模型，所有元件参数均...
[期刊论文] 作者：黄世震,罗志聪,孙奇燕,陈勖,,
来源：微电子学 年份：2009
基于0．18μmCMOS工艺，采用间接闭环控制方式，设计出一个适用于Class1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。输出级电源电压采用类似LDO的结构控制。提出了一种...
[期刊论文] 作者：何茜,朱栋山,潘银松,
来源：微型机与应用 年份：2009
通过电磁感应耦合与电子电力技术，将E类功率放大器应用于电能传输的途径，在实际应用中有...
[期刊论文] 作者：袁成,李智群,刘继华,王志功,,
来源：Journal of Southeast University(English Edition) 年份：2009
利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号...
[期刊论文] 作者：袁成,李智群,刘继华,王志功,
来源：东南大学学报：英文版 年份：2009
利用标准的0．18μm6层金属混合信号／射频CMOS工艺设计了一种工作在2．4GHz频段的全集成E类功率放大器．电路采用两级放大器级联结构，其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号；输出...
[期刊论文] 作者：罗志聪,林伟,孙奇燕,黄世震,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
基于0.18μm CMOS工艺,设计出一个适用于class1蓝牙系统的高效率的差分E类功率放大器.驱动级采用自偏置Cascode结构,输入和级间匹配均片内完成,实现高集成度.在电源电压1.8V,...
[学位论文] 作者：袁成,
来源：东南大学 年份：2009
CMOS技术随着工艺的不断进步，低成本和高集成度的特点越来越受到青睐。CMOS工艺如今已经广泛的应用在射频集成电路设计中。但是对于发射机中的功率放大器（PA），存在一个工艺选择的......
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