低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文)

来源 :Journal of Southeast University(English Edition) | 被引量 : 0次 | 上传用户:qingdao2046
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利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3~8.8dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用. A fully integrated Class-E power amplifier operating in the 2.4GHz band is designed using a standard 0.18μm6 metal-mixed signal / radio frequency CMOS process.The circuit employs a two-stage amplifier cascade architecture in which the driver stages utilize resonant techniques to generate high-swing switches Signal.The output stage adopts class E structure to realize the power amplification of the signal.Under the 1.2V power supply voltage, the maximum output power of the designed power amplifier is 8.8dBm and the power added efficiency (PAE) reaches 44% .At the same time, an E Class power amplifier power control method by changing the signal into the Class E switching transistor amplitude and duty cycle under the control of 3-digit digital control word, the output power of -3 ~ 8.8dBm designed power amplifier to meet such as wireless Sensor network (WSN) and biological telemetry and other low-power system applications.
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