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[期刊论文] 作者：M.C.Delinger,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
微波集成电路的封装要受到多方面因素的约束。它要求损耗低、介电常数高,也就是射频性能要好。这些特点则往往是机械方面困难的来源。大功率的电路尤其是这样。而且,衬底的...
[期刊论文] 作者：T.J.Maloney,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
化合物半导体场效应晶体管做为微波低噪声放大器是很有希望的,然而在诸如GaAs和InP这样的材料中谷间散射对噪声性能的影响仍然是个问题。谷间散射是导带中获得相当高速度的...
[期刊论文] 作者：K.Gamo,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
研究了400千电子伏的硒离子以3×10~(12)～2×10~(15)/厘米~2的剂量注入掺铬的半绝缘GaAs衬底中,并在800～1000℃的温度之间退火时,注入层的载流子浓度和迁移率的分布与剂量和退...
[期刊论文] 作者：C.E.Weitzel,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
业已证明:在光照下,GaAs MESFET在18MΩ·cm的水中漂洗会导致器件直流特性的迅速退化。水在肖特基势垒栅电极的周围腐蚀出一个槽,其腐蚀速率至少为22 /min。槽的形成明显地增...
[期刊论文] 作者：James A.Turner,马振昌,,
来源：半导体情报 年份：2004
X波段砷化镓场效应晶体管的问世,在装架和封装方面向器件和电路的设计制造者提出了许多问题。本文将叙述器件的封装技术,在混合微带电路中器件是如何装架和封装的,以及在砷,...
[期刊论文] 作者：孙伟,田小建,孙建国,衣茂斌,张慕义,张玉清,马振昌,
来源：半导体学报 年份：2004
用多触头微波探针，对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选，测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源，采用了背面直接采样......
[期刊论文] 作者：王孙涛,陈源,张伯蕊,乔永萍,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：半导体学报 年份：2004
利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的...
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