【摘 要】
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业已证明:在光照下,GaAs MESFET在18MΩ·cm的水中漂洗会导致器件直流特性的迅速退化。水在肖特基势垒栅电极的周围腐蚀出一个槽,其腐蚀速率至少为22 /min。槽的形成明显地增
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业已证明:在光照下,GaAs MESFET在18MΩ·cm的水中漂洗会导致器件直流特性的迅速退化。水在肖特基势垒栅电极的周围腐蚀出一个槽,其腐蚀速率至少为22 /min。槽的形成明显地增加了MESFET的寄生电阻。
It has been demonstrated that GaAs MESFETs rinsed in 18 MΩ · cm water under illumination can cause a rapid degradation of the DC characteristics of the device. Water corrodes a trench around the Schottky barrier gate electrode with a corrosion rate of at least 22 / min. The formation of the trenches significantly increases the parasitic resistance of the MESFET.
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