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[期刊论文] 作者：韩彦军,,
来源：中学物理 年份：2008
长期以来,我们重视知识的传授而忽视了能力培养.注重知识的结果,往往淡化甚至不管知识获得的过程,太急于看到知识传授的结果,太讲究“效率”了.一些教师用“高效益”的方式...
[期刊论文] 作者：梁恒玉,韩彦军,,
来源：党史博采(理论) 年份：2008
一、要认清领导干部道德建设的重要性领导干部地位重要，决定了领导干部道德在各种道德中居首要地位。领导干部不论职务大小、地位高低，都是代表人民掌握和行使各种权力的。毛泽......
[期刊论文] 作者：韩彦军,梁恒玉,,
来源：保定学院学报 年份：2008
工会作为联系干群、党群关系的重要纽带,在构建和谐校园、推进高校改革发展中处于不可替代的地位。要充分发挥工会维护、建设、参与、教育职能,维护好广大教职工权益,调动、...
[期刊论文] 作者：韩彦军 阚莉莉 滑晓军,
来源：高等教育科学 年份：2008
摘 要：科学发展观是指导各项工作全面、协调、可持续发展的强大思想武器。本文结合高校工会具体工作，针对构建和谐校园的实际问題，论述了落实科学发展观的重要意义并提出了建设对策。 关键词：高等院校；工会；和谐；机制 党的十六届四中全会提出了加强党的执政......
[期刊论文] 作者：刘佳尧,钱可元,韩彦军,罗毅,,
来源：液晶与显示 年份：2008
对液晶显示来说，与静态背光源相比，直下式动态背光源具有多种优点。提出了一种基于LED的直下式动态背光源结构，将单个LED发出的光投射区域限制在散光膜的单一区域，即每个LED只负......
[期刊论文] 作者：王计波,韩彦军,王金斗,高国生,,
来源：微计算机信息 年份：2008
本文阐述了活塞镗孔挖槽机床的结构及工作原理,详细介绍了采用可编程序控制器和变频器实现电气控制的具体方案,给出了电气控制系统的硬件电路图、程序流程图。该电气设计方案...
[期刊论文] 作者：张贤鹏,韩彦军,罗毅,薛小琳,汪莱,江洋,,
来源：半导体光电 年份：2008
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(L...
[期刊论文] 作者：智小慧,韩彦军,彭纪云,邢建东,高义民,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2008
研究了不同的含Ti量对4C-20Cr（质量分数，％）过共晶高铬铸铁显微组织的影响。结果表明，随着含Ti量的增加，初生碳化物和总的碳化物（初生碳化物和共晶碳化物）均逐渐细化：TiC的体积分数也随......
[期刊论文] 作者：张贤鹏,韩彦军,罗毅,薛小琳,汪莱,江洋,
来源：半导体光电 年份：2008
采用基于Cl2／Ar／BCl3气体的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED，研究了刻蚀深度对光荧光（PL）和发光二极管（LED）光电特......
[期刊论文] 作者：罗毅, 张贤鹏, 王霖, 杨毅, 胡飞, 钱可元, 韩彦军,,
来源：中国激光 年份：2008
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进...
[期刊论文] 作者：江洋,罗毅,薛小琳,汪莱,李洪涛,席光义,赵维,韩彦军,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜（AFM）对金属有机化合物气相外延（MOVPE）在蓝宝石图形衬底（PSS）上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究，分析结果表明，位......
[期刊论文] 作者：李洪涛,罗毅,席光义,汪莱,江洋,赵维,韩彦军,郝智彪,孙长征,,
来源：物理学报 年份：2008
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量....
[期刊论文] 作者：席光义,任凡,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,韩彦军,罗毅,,
来源：物理学报 年份：2008
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延...
[期刊论文] 作者：席光义,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,任凡,韩彦军,孙长征,罗毅,,
来源：物理学报 年份：2008
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气...
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