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[期刊论文] 作者：莫爱萍,
来源：中国律师 年份：2003
案情简介如下：２００１年５月１１日凌晨约１时４０分，重庆市民郝跃与朋友老李在街上谈...
[期刊论文] 作者：郝跃,
来源：现代电子技术 年份：2003
微电子技术,基于其重要的地位,成为世界各国尤其是发达国家竞争热点,从而导致此领域持续高速地发展.展望未来,传统领城新的推进或新的突破仍将出现,一些新领域的研究开发也将...
[期刊论文] 作者：郝跃骏,
来源：南方电视学刊 年份：2003
时间的重量，因“洞村”纪录而悟；时间的重量，因影视人类学而显；时间的重量，因敬业而兀...
[期刊论文] 作者：韩晓亮,郝跃,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应，通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响，并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式...
[期刊论文] 作者：马巍,郝跃,
来源：半导体学报 年份：2003
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术，该技术很好地改善了沟道电场分布，避免了在器件漏端的强场效应，在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命．然而，LDD结......
[期刊论文] 作者：韩晓亮,郝跃,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化...
[期刊论文] 作者：段猛,郝跃,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变...
[期刊论文] 作者：张金凤,郝跃,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
AlGaN/GaN异质结是氮化物微波功率器件的基本结构之一,其优越性的关键是在异质界面上形成具有高面电子密度和高迁移率的二维电子气.给出了AlGaN/GaN异质结二维电子气的面电子...
[期刊论文] 作者：薛雷,郝跃,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2003
提出了一种面向柔性制造系统的基于共享“自治子网”融合的“至底向上”的Petri网结构化建模方法,并基于网络的结构特征:不变结构和虹吸结构,对所得模型的活性、保守性和可逆...
[期刊论文] 作者：葛涛,郝跃伟,
来源：微型电脑应用 年份：2003
本文介绍了在Delphi中操作Excel的主要原理、方法,实现了数据报表输出的Excel自动化,主要包括Ex-cel对象的创建,Excel文件的导入与导出以及行列属性的设置等....
[期刊论文] 作者：郝跃平,王春晓,,
来源：语文知识 年份：2003
近观电视剧《大脚马皇后》,不禁想起曾经读过的有关马皇后的一个故事。马皇后是明代开国皇帝朱元璋的原配妻子,曾辅佐朱元璋南征北战,立下了汗马功劳,深得朱元璋宠爱。...
[期刊论文] 作者：张辉,郝跃伟,周霁,
来源：电视技术 年份：2003
提出了一种用微机配普通视频采集卡在WinXP操作系统下结合使用DirectDraw和DirectShow编程实现图像跟踪的方法,为高速图像跟踪测量的实现提供了新的思路。...
[期刊论文] 作者：冯倩,段猛,郝跃,
来源：光子学报 年份：2003
利用X射线光电子能谱,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试,同时用光致发光技术对样品进行发光特性的研究.结果表明,随着GaN薄膜中Ga百分含量...
[期刊论文] 作者：冯倩,段猛,郝跃,
来源：光子学报 年份：2003
利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和...
[期刊论文] 作者：冯倩,郝跃,刘玉龙,
来源：光散射学报 年份：2003
利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中存在张力,由于SiC衬底不平整度增加引起更多...
[期刊论文] 作者：范隆,郝跃,余学峰,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介...
[期刊论文] 作者：任红霞,张晓菊,郝跃,
来源：电子器件 年份：2003
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制...
[期刊论文] 作者：郝跃,韩晓亮,刘红侠,
来源：电子学报 年份：2003
本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-S...
[期刊论文] 作者：范隆,李培咸,郝跃,
来源：半导体学报 年份：2003
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所...
[期刊论文] 作者：范隆,郝跃,冯倩,段猛,
来源：光子学报 年份：2003
利用室温光致发光(PL)技术研究了在6H-SiC(0001)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜"黄带"发光(YL)特点,与扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术得到的...
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