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本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO2界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.
超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
【摘 要】
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本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-S
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2003年z1期
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