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[期刊论文] 作者：高玉凤,刘乃祥,郑树文,
来源：高中数理化 年份：2005
例1设函数y=f(x)的定义域是R,且f(x-1)=f(1-x),那么f(x)的图像有对称轴直线( )....
[期刊论文] 作者：雷勇,范广涵,李述体,谭春华,黄琨,郑树文,
来源：光电子技术与信息 年份：2005
介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题.详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN...
[期刊论文] 作者：李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,郑树文,郭志友,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2005
采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大....
[期刊论文] 作者：李述体, 范广涵, 周天明, 郑树文, 王浩, 郭志友, 孙,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)InosP／Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了(Al0.3Ga0．7)In0.5P／Ga0.5In0．5P多量子阱结构；另一类为完整的多量子阱...
[期刊论文] 作者：王浩,曾谷城,廖常俊,蔡继业,郑树文,范广涵,陈勇,刘颂豪,
来源：物理学报 年份：2005
应用缓冲层对自组装结构的作用能Er 和自组装结构表面能Es 的协同作用分析了InP自组装结构在GaxIn1 -xP缓冲层表面的形貌变化 .计算发现缓冲层组分影响自组装结构的形貌 .随...
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