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[期刊论文] 作者：郑惟彬,孔月婵,陈堂胜,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法，详细研究了Ⅲ-氮化物的速．场特性和低场迁移率特性，数值计算了掺杂浓度和晶格温度对Ⅲ-氮化物输运特性的影响。结果表明，在忽略缺陷和表面粗糙......
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,吴鹏,李哲洋,郑惟彬,钱峰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W...
[期刊论文] 作者：郑惟彬,孔月婵,陈堂胜,陈辰,CHEN Chen,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2009
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：姜文海,陈辰,周建军,李忠辉,郑惟彬,董逊,
来源：光电子技术 年份：2009
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲...
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