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[期刊论文] 作者：郭玲玲,郑光裕,张治国,,
来源：物理实验 年份：2006
利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8．5×10^-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x，（In1-y，Cuy）xO薄膜,研究了蒸发源材料质量比不同的...
[会议论文] 作者：郭玲玲,郑光裕,张治国,
来源：第四届全国高等学校物理实验教学研讨会 年份：2006
本文主要介绍了利用真空反应蒸发技术,在氧分压8.5×10-2Pa左右、衬底温度400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出T1-x(In1-yCuy)xO薄膜。并且对蒸发源材料质量比不同的样品进行了有关薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系等方......
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