【摘 要】
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本文主要介绍了利用真空反应蒸发技术,在氧分压8.5×10-2Pa左右、衬底温度400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出T1-x(In1-yCuy)xO薄膜。并且对蒸发源材料质量比不同的样品进行了有关薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系等方面的研究。从而得知T1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,且制备出的T1-x(In1-yCuy)xO薄膜中
【机 构】
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泉州师范学院 理工学院,福建 泉州 362000
【出 处】
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第四届全国高等学校物理实验教学研讨会
论文部分内容阅读
本文主要介绍了利用真空反应蒸发技术,在氧分压8.5×10-2Pa左右、衬底温度400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出T1-x(In1-yCuy)xO薄膜。并且对蒸发源材料质量比不同的样品进行了有关薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系等方面的研究。从而得知T1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,且制备出的T1-x(In1-yCuy)xO薄膜中Jn的含量大大减少,而成为ITO薄膜的潜在替代材料。
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