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[期刊论文] 作者：邢艳辉,李建军,邓军,韩军,盖红星,沈光地,
来源：量子电子学报 年份：2006
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源，分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层，随C掺杂浓度增加，禁带宽度收缩，PL谱峰值...
[期刊论文] 作者：刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李彤, 邢艳辉,
来源：物理学报 年份：2006
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[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢艳辉,李彤,张念国,韩军,,
来源：功能材料 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶......
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢艳辉,李彤,张念国,韩军,邓军,沈光地,,
来源：功能材料 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶...
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