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[期刊论文] 作者：邓婉玲,郑学仁,,
来源：半导体技术 年份：2007
全面介绍了多晶硅薄膜晶体管（TFT）紧凑模型的现状和应用前景，简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性，这是多晶硅TFT建模的基础，重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模......
[期刊论文] 作者：邓婉玲,郑学仁,刘伟俭,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2007
设计并实现了一种3阶多级累加器级联架构MASH 2-1的数字Δ∑调制器.Matlab仿真结果显示该结构具有良好的噪声整型特性.提出了一种基于MASH 2-1Δ∑调制器的II型4阶锁相环,并...
[期刊论文] 作者：邓婉玲,郑学仁,刘伟俭,
来源：小型微型计算机系统 年份：2007
当今流行的先进的验证技术有很多，本文综合使用了OVL（Open Verification Library）断言验证、总线功能模型BFM（Bus Function Module）层次化验证和FPGA（Field Programmable Gate Arra...
[期刊论文] 作者：郑学仁,邓婉玲,陈荣盛,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2007
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly—SiTFTs）的电流和电容分析模型．采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化，从而大大地提高了上述模型的计......
[期刊论文] 作者：邓婉玲,郑学仁,陈荣盛,
来源：半导体学报 年份：2007
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重...
[期刊论文] 作者：邓婉玲,郑学仁,陈荣盛,,
来源：半导体学报 年份：2007
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了...
[期刊论文] 作者：郑学仁,邓婉玲,陈荣盛,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2007
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型...
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