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[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,赵有文,孙同年,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：于会永,赵有文,占荣,高永亮,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉...
[期刊论文] 作者：周立,陈涌海,王占国,赵有文,,
来源：光散射学报 年份：2008
运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪，测量了物理气相输运（PVT）方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系，观察到了E和E峰位......
[会议论文] 作者：董志远;赵有文;杨俊;胡炜杰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN...
[期刊论文] 作者：张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊,
来源：半导体学报 年份：2008
分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS）、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单...
[期刊论文] 作者：张璠,赵有文,董志远,张瑞,杨俊,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容...
[期刊论文] 作者：张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊,,
来源：半导体学报 年份：2008
分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的Zn...
[期刊论文] 作者：占荣,赵有文,于会永,高永亮,惠峰,,
来源：半导体学报 年份：2008
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火...
[期刊论文] 作者：于会永,赵有文,占荣,高永亮,惠峰,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微...
[会议论文] 作者：李巍巍;赵有文;董志远;杨俊;胡炜杰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于...
[会议论文] 作者：杨俊;董志远;胡炜杰;段满龙;赵有文;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是...
[期刊论文] 作者：王柱,柯君玉,李辉,庞锦标,戴益群,赵有文,
来源：武汉大学学报：理学版 年份：2008
利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应．经900℃退火之后，正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除，其体寿命为180ps．通过比较原生和......
[会议论文] 作者：胡炜杰,赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨俊,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC...
[会议论文] 作者：赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;胡炜杰;杨俊;张金利;王应利;刘刚;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I...
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