搜索筛选:
搜索耗时1.6144秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 16 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：,
来源：高科技与产业化 年份：2006
赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺...
[期刊论文] 作者：白杨,,
来源：科学中国人 年份：2006
这就是中国科学院半导体研究所研究员赵有文，他怀揣一颗坚定而滚烫的心，沿着...
[会议论文] 作者：赵有文,
来源：重庆市首届涂料涂装学术大会暨行业年会 年份：2006
本文对轻轨PC梁铸钢支座表面防腐设计，防腐工艺进行了较为详细的介绍，并对引入新的防腐技术进行了探讨与展望。...
[期刊论文] 作者：邵云东,王柱,赵有文,唐方圆,
来源：武汉大学学报：理学版 年份：2006
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平......
[期刊论文] 作者：魏学成,赵有文,董志远,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性．通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，......
[会议论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验结果表明化学配比偏离(特别...
[会议论文] 作者：赵有文,董志远,吕小红,段满龙,孙文荣,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含......
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,李成基,段满龙,孙文荣,,
来源：半导体学报 年份：2006
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下，使用碳辅助增强质量传输方法，得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体。利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底，得到...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了高温升华法（PVT）生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶．通过控制源区和生长端的温度梯度，使用碳辅助增强质量传尊挚应，在无籽晶自发成核的条件下，得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体．利用长有GaN......
[期刊论文] 作者：苗杉杉,赵有文,董志远,邓爱红,杨俊,王博,,
来源：半导体学报 年份：2006
比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错...
[期刊论文] 作者：赵有文, 董志远, 孙文荣, 段满龙, 杨子祥, 吕旭如,,
来源：半导体学报 年份：2006
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响，包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响，坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等．对这些缺陷的形成原因和抑制途径进......
[会议论文] 作者：赵有文, 孙文荣, 段满龙, 董志远, 杨子祥, 王应利,,
来源： 年份：2006
...
[期刊论文] 作者：赵有文, 孙文荣, 段满龙, 董志远, 杨子祥, 吕旭如, 王应,
来源：半导体学报 年份：2006
...
[期刊论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,王应利,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完......
相关搜索：
