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[期刊论文] 作者：于雷,裴素华,,
来源：微纳电子技术 年份：2005
二氧化钛(TiO2)是响应三甲胺(TMA)气体的最佳金属氧化物半导体材料.为保持TiO2基旁热式气敏器件具有较高灵敏度、热稳定性和较低器件空气阻值(Ra),用X射线衍射和参数测试等方...
[期刊论文] 作者：艾玉杰,裴素华,
来源：微纳电子技术 年份：2005
通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+...
[期刊论文] 作者：裴素华,张晓华,孙海波,于连英,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特...
[期刊论文] 作者：黄萍,裴素华,孙海波,李秀琴,于连英,
来源：河北师范大学学报 年份：2005
在金红石结构的TiO2中掺入质量分数为10 %的Nb2O5,0.5 %的Sb2O3和2 %的In,可以充分发挥添加剂的强催化作用,使敏感器件在空气中的阻值降低到10 MΩ以下,并在一定程度上提高器...
[期刊论文] 作者：裴素华,修显武,孙海波,黄萍,于连英,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域...
[期刊论文] 作者：黄萍,裴素华,孙海波,于连英,李秀琴,
来源：传感器技术 年份：2005
按旁热式结构采用以TiO2为基质对In-Sb2O3-Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵...
[期刊论文] 作者：裴素华,孙海波,修显武,张晓华,江玉清,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂...
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