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[期刊论文] 作者：张庆范,裴素华,
来源：电力电子技术 年份：1996
电力电子技术同步分析研究ＡｎａｌｙｔｉｃＳｔｕｄｙｆｏｒｔｈｅＳｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎｏｆＰｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ￥／／山东工业大学张庆范（济南２５００６１）山东师范大学裴素华（济南２５００１４...
[期刊论文] 作者：张庆范,裴素华,庄益利,
来源：电力电子技术 年份：1996
ＧＴＯ门极触发电路的设计山东工业大学张庆范（济南２５００１４）山东师范大学裴素华，庄益利（济南２５００１４）ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＧＴＯＧａｔｅＴｒｉｇｇｅｒｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ￥／／１前言该电路是为感应电动机的...
[期刊论文] 作者：裴素华,
来源：满族研究 年份：1990
【正】河北省宽城满族自治县位于河北省东北部,燕山山脉东段,长城北侧,喜峰口外。北邻平泉县,东北与辽宁省凌源县交界,东南与青龙满族自治县接壤,西南与迁西县相连,西隔滦河...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,
来源：半导体技术 年份：1996
利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。...
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：半导体杂志 年份：1998
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实......
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：电力电子技术 年份：1997
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ，ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。...
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ｇａ扩散工艺制造......
[期刊论文] 作者：裴素华,程道平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
利用元素Ｇａ其ＤＳｉＯ２〉〉ＤＳｉ的特点，实现了ＳｉＯ２／Ｓｉ中扩散，使基区得到了理想的浓度分布，但经热氧化后，基区表面的浓度值有明显下降趋势，从而表明Ｇａ在ＳｉＯ２－Ｓｉ界面，具有两种相反的扩散倾向。......
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ，ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点，实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制造......
[期刊论文] 作者：曹文田,裴素华,
来源：山东师范大学学报：自然科学版 年份：1997
采用交流电机变频调速技术，研制出全自动恒压供水系统，应用表明，该系统在节能，保持水质，水压平稳一及自动化等方面，大大优于传统供水方式，是供水行业的发展方向。...
[期刊论文] 作者：裴素华,孟繁英,
来源：传感技术学报 年份：1999
用Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导体和金属Ｉｎ的增感而研制成的Ｉｎ／ＴｉＯ２．Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，项研究为非破裂性，快速，准确地检测生物鲜度创造了一条新......
[期刊论文] 作者：裴素华,孟繁英,
来源：传感技术学报 年份：2000
在金属氧化物ＴｉＯ２中，掺入另一种金属氧化物Ｎｂ２Ｏ５，使得原响应三甲胺（ＴＭＡ）气体灵敏度和降低器件阻值等方面，均有突破性进展．更多还原...
[期刊论文] 作者：裴素华,赵富贤,,
来源：山东师大学报(自然科学版) 年份：1987
本文用剥层法、扩展电阻测定法验证了利用开管方式扩散镓,能使元素镓的杂质分布服从典型高斯分布,这一分布应用于晶闸管器件生产中,对提高产品控制极参数一致性,改善器件动态...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：电力电子技术 年份：1997
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
本文对镓、镓－硼现任中基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析。证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响。...
[会议论文] 作者：修显武,裴素华,孙海波,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO-Si界面中的分凝特性进行研...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制......
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用......
[期刊论文] 作者：赵善麒,李天望,裴素华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的...
[期刊论文] 作者：李建军,魏希文,裴素华,王子欧,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。The fac...
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