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[期刊论文] 作者：王晓艳,张鹤鸣,胡辉勇,,
来源：西北大学学报(自然科学版) 年份：2012
目的设计一款应用于PWM控制器的带隙基准。方法前级的欠压锁定电路在电源电压上升到8.2V时才能开启,当电源电压下降到7.8V后级电路关断,既保证了整个电路的正常工作,又节省了...
[期刊论文] 作者：赵丽霞,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制，研究了应变Si1-xGe／（100）Si材料电子散射几率与应力及能量的关系．结果表明：在......
[期刊论文] 作者：屈江涛,张鹤鸣,胡辉勇,徐小波,王晓艳,,
来源：电子科技大学学报 年份：2012
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P＋多晶SiGe栅应...
[期刊论文] 作者：李妤晨,张鹤鸣,张玉明,胡辉勇,徐小波,秦珊珊,王冠宇,,
来源：物理学报 年份：2012
本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅...
[期刊论文] 作者：王程,王冠宇,张鹤鸣,宋建军,杨晨东,毛逸飞,李永茂,胡辉勇,宣荣喜,,
来源：物理学报 年份：2012
本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律...
A strained Si-channel NMOSFET with low field mobility enhancement of about 140% using a SiGe virtual
[期刊论文] 作者：崔伟,唐昭焕,谭开洲,张静,钟怡,胡辉勇,徐世六,李平,胡刚毅,,
来源：半导体学报 年份：2012
A fully standard CMOS integrated strained Si-channel NMOSFET has been demonstrated.By adjusting the thickness of graded SiGe,modifying the channel doping concen...
[期刊论文] 作者：唐昭焕,谭开洲,崔伟,张静,钟怡,徐世六,郝跃,张鹤鸣,胡辉勇,张正璠,胡刚毅,,
来源：半导体学报 年份：2012
A high-performance PMOSFET based on silicon material of hybrid orientation is obtained.Hybrid orientation wafers,integrated by(100) and(110) crystal orientation...
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