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[期刊论文] 作者：吴铁峰,张鹤鸣,胡辉勇,,
来源：电子科技大学学报 年份：2011
针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了...
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模...
[期刊论文] 作者：吴华英,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明...
Substrate bias effects on collector resistance in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin fi
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,屈江涛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
An analytical expression for the collector resistance of a novel vertical SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin film silicon-on-insulator(SOI) is...
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,马建立,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Silicon germanium(SiGe) heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin silicon-on-insulator(SOI) has recently been demonstrated and integrated into the latest S...
[期刊论文] 作者：吴铁峰,张鹤鸣,王冠宇,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流...
[期刊论文] 作者：屈江涛,张鹤鸣,王冠宇,王晓艳,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟...
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,马建立,许立军,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The base-collector depletion capacitance for vertical SiGe npn heterojunction bipolar transistors (HBTs) on silicon on insulator (SOI) is split into vertical an...
Weak avalanche multiplication in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-ins
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,李妤晨,屈江涛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In this paper, we propose an analytical avalanche multiplication model for the next generation of SiGe silicon- on-insulator (SOI) heterojunction bipolar transi...
[期刊论文] 作者：屈江涛,张鹤鸣,秦珊珊,徐小波,王晓艳,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组...
[期刊论文] 作者：秦珊珊,张鹤鸣,胡辉勇,屈江涛,王冠宇,肖庆,舒钰,,
来源：物理学报 年份：2011
本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模...
[会议论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,王斌,周春宇,朱峰,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越......
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