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[期刊论文] 作者:李培咸,孙建诚,胡辉勇, 来源:光子学报 年份:2002
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过...
[期刊论文] 作者:李培咸,孙建诚,胡辉勇, 来源:真空科学与技术 年份:2002
介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利...
[期刊论文] 作者:刘洪宁,孙建诚,胡辉勇,, 来源:真空电子技术 年份:2000
[期刊论文] 作者:刘洪宁,孙建诚,胡辉勇,张鹤鸣, 来源:真空电子技术 年份:2000
介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。A newly developed ultrahigh vacuum (UHV) / ultraviolet (UV) / energy...
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