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[期刊论文] 作者：马龙,王良臣,杨富华,
来源：电子学报 年份：2005
建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,对电路进行了模拟仿真,确定了电路相关参数....
[会议论文] 作者：王立彬,王良臣,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
硅作为倒装结构功率型白光LED的sub-mount,具有优良的热传导性能;同时,还为白光LED与其他硅电子器件的集成提供了集成平台,其中集成静电保护电路为其主要应用之一....
[会议论文] 作者：马龙,王良臣,杨富华,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对数字电路中比较典型的可编程逻辑门和流水线加法器进行了设计与模拟，同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。...
[期刊论文] 作者：伊晓燕,马龙,郭金霞,王良臣,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属...
[期刊论文] 作者：左玉华,毛容伟,王良臣,余金中,王启明,
来源：光子学报 年份：2005
建立了等效单层梁模型和一维集总模型,用经典力学理论和传输矩阵方法模拟了多层材料构成且具有四臂固支梁结构的1.55μm Si基MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechnical-Systems)可...
[期刊论文] 作者：马龙,伊晓燕,郭金霞,王良臣,王国宏,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论....
[期刊论文] 作者：郭金霞,马龙,伊晓燕,王良臣,王国宏,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空间较小.而传统大面积结构GaN基LED由于全反射...
[期刊论文] 作者：王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室......
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且成功地制作了相应的RTD器件．在室温下，测试了R...
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器...
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