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[期刊论文] 作者：段俐,康琦,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
This paper reports that an optical diagnostic system consisting of Mach–Zehnder interferometer with a phase shift device and image processor has been used for...
[期刊论文] 作者：郭亮,段俐,胡良,康琦,
来源：第七届全国流动显示学术会议 年份：2008
液相中扩散传质过程的研究无论对于基础理论还是生产实践都具有重要的意义。但在通常的重力环境中，传质过程不是单因素地由浓度梯度来决定，对流和沉降会对实验研究产生重要的干......
[期刊论文] 作者：侯瑞,段俐,胡良,康琦,
来源：实验流体力学 年份：2008
空间探索计划的需求对空间流体管理技术提出了新的挑战。流体管理设备的内角是主要的流体传输“管道”,因此研究微重力下容器内角处的毛细驱动流具有重要的意义。由于设计和...
[会议论文] 作者：李陆军,康琦,段俐,胡良,
来源：第七届全国流动显示学术会议 年份：2008
本文采用PIV技术对两层流体Bénard-Marangoni对流进行了实验研究，得到了不同厚度比下的速度场，分析了界面张力在各种对流模式中的作用。和Rayleig-Bénard对流的三种临界对流...
[期刊论文] 作者：刘蕾,徐升华,孙祉伟,段俐,解京昌,林海,,
来源：物理学报 年份：2008
利用Kossel衍射技术和反射光谱对由总体积分数为0.02的二元聚苯乙烯胶体体系(94 nm+141 nm)形成的胶体晶体的性质进行了研究,实验结果显示胶体晶体的形成时间,平均粒子间距,...
[会议论文] 作者：孙苋,刘文宝,江德生,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,段俐宏,杨辉,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截面进行二次电子显微(SEM)......
[会议论文] 作者：刘文宝,孙苋,江德生,赵德刚,刘宗顺,张书明,朱建军,段俐宏,杨辉,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约......
[会议论文] 作者：张爽,杨辉,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,段俐宏,刘文宝,孙苋,江德生,
来源：第11届全国固体薄膜会议 年份：2008
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了...
[会议论文] 作者：刘文宝[1]孙苋[1]江德生[1]赵德刚[1]刘宗顺[1]张书明[1]朱建军[1]段俐宏[1]杨辉[2],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同G...
[会议论文] 作者：孙苋[1]刘文宝[1]江德生[1]赵德刚[1]刘宗顺[1]朱建军[1]张书明[1]段俐宏[1]杨辉[2],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了...
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