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[期刊论文] 作者：李为民,梁仁荣,王敬,,
来源：微电子学 年份：2014
利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性...
[期刊论文] 作者：胡梦月,梁仁荣,王敬,许军,,
来源：微电子学 年份：2014
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其...
[期刊论文] 作者：周旭亮,潘教青,梁仁荣,王敬,王圩,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is...
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