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[期刊论文] 作者：李德斌,梁仁荣,刘道广,许军,,
来源：微电子学 年份：2008
采用二维数值模拟的方法，研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅（SSOI）动态阈值（DT）MOSFET的特性，全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明，通过......
[期刊论文] 作者：顾玮莹,梁仁荣,张侃,许军,,
来源：半导体学报 年份：2008
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;〈100〉沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和〈100〉沟道方向的共同作用下的空穴迁移...
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