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采用二维数值模拟的方法，研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅（SSOI）动态阈值（DT）MOSFET的特性，全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响。结果表明，通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布，DTSSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能，同时不会造成明显的器件关态漏电。从实验结果可以预测，相对于非DT器件而言，DT器件在性能上的这种优势能够保持到32nm栅长的技术节点。