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[期刊论文] 作者：桂永胜,蔡毅,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
测量Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系。在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量，发现了表面电子的浓度在１．２￣５５Ｋ的范围内没有变化，一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器性能有着重要的影响，选择适合的钝化工艺，控制表面固定电荷密度，可以优化器件性能。......
[期刊论文] 作者：桂永胜,蔡毅,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,
来源：红外与毫米波学报 年份：1998
通过迁移率分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生成的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子，体空穴以及界面电子的迁移率和浓度，通过迁移率谱人地获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分的......
[期刊论文] 作者：桂永胜,蔡毅,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻，用两种截流子模型的约化电导张量过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好。...
[期刊论文] 作者：桂永胜,蔡毅,
来源：红外与毫米波学报 年份：1998
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累 中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合。......
[会议论文] 作者：桂永胜,郑国珍,
来源：第十二届全国红外科学技术交流会 年份：1996
采用迁移率谱和多电子拟合过程对ＨｇＣｄＴｅ长波光导探测器表面积累层变磁场实验数据进行了处理。该方法可以将则器中体电子对电导的贡献与表面电子的贡献区分开，可以成为一种半导体材料......
[期刊论文] 作者：郑泽伟,桂永胜,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
通过低温和高磁场下的磁输运测量，首次在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结中观察到了舒勃尼科夫－德哈斯振荡的双周期特性，发现在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结的三角势阱中产生了二维电子气（２ＤＥＧ）的第二子带占据，发生第二子带占据的阈值......
[会议论文] 作者：何江红[1]桂永胜[2],
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－ｌ℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ。数据分析表明：各金属薄膜的Ｒｓ～Ｔ关系表现出同一规律；金属薄膜的高......
[会议论文] 作者：桂永胜,郑国珍,褚君浩,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,张新昌,褚君浩,
来源：半导体学报 年份：1998
本文利用定量迁移率谱分析技术，通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系，获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移率，结果表明了定量迁移率谱分析方法具有很高......
[期刊论文] 作者：桂永胜, 郑国珍, 蔡毅, 褚君浩,,
来源：红外与毫米波学报 年份：1998
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,郭少令,褚君浩,
来源：红外与毫米波学报 年份：1998
通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．通过迁移率谱分析法获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理......
[期刊论文] 作者：桂永胜, 褚君浩, 蔡毅, 郑国珍, 汤定元,,
来源：物理学报 年份：1998
利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势．由定量迁移率谱得到的结果与ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ测量结果以......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,褚君浩,郭少令,汤定元,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度，可以优化器件性能The effect......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,郭少令,蔡毅,褚君浩,汤定元,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中，发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关......
[期刊论文] 作者：桂永胜,郑国珍,褚君浩,郭少令,汤定元,蔡毅,
来源：半导体学报 年份：1997
利用ＷＫＢ近似对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子的电子浓度、能级位置和有效质量，考虑了能带的非抛物性，由ＳｄＨ振荡获得的与理论符合的很......
[期刊论文] 作者：桂永胜,蔡毅,郑国珍,褚君浩,郭少令,汤定元,
来源：红外与毫米波学报 年份：1996
在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一......
[期刊论文] 作者：桂永胜,褚君浩,郑国珍,郭少令,汤定元,蔡毅,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．The reluctance of three HgCdTe......
[会议论文] 作者：桂永胜,马智训,郑国珍,褚君浩,陈建新,李爱珍,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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