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[期刊论文] 作者：李肇基,,
来源：中国金融家 年份：2013
相比起已有规律可循的汽油涨价,过去一个月中来自中石油的反腐风暴让人们感到突如其来。8月26日,中纪委监察部网站公布,中石油集团公司副总经理、兼大庆油田有限责任公司...
[期刊论文] 作者：李肇基,,
来源：中国金融家 年份：2013
大选结束一个多月后,意大利政局的走向依旧是个未知数。尽管参众两院的议长已经选出,但是最难翻越的"大山"仍然横亘在意大利三个主要政党面前——组阁。在参议院,没有哪...
[期刊论文] 作者：李肇基,,
来源：中国金融家 年份：2013
央行日前宣布全面放开金融机构贷款利率管制,外界普遍认为这是利率市场化迈向攻坚阶段的标志。时至今日,利率市场化已经历经20余年的努力,先后走过货币市场、债券市场的市场...
[期刊论文] 作者：潘淑娟,李肇基,,
来源：中国金融家 年份：2013
他是一个成果丰硕的学者他是龙子湖畔皖地财经大学的一校之长他更是情系乡梓为家乡经济发展奉献智慧的安徽人——“水不在深,有龙则灵”。坐落于安徽蚌埠市内的龙子湖不仅是...
Analysis of OFF-state and ON-state performance in a silicon-on-insulator power MOSFET with a low-k d
[期刊论文] 作者：汪志刚,张波,李肇基,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel silicon-on-insulator(SOI) MOSFET with a variable low-k dielectric trench(LDT MOSFET) is proposed and its performance and characteristics are investigate...
[期刊论文] 作者：范杰,张波,罗小蓉,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
A new silicon-on-insulator(SOI)power lateral MOSFET with a dual vertical field plate(VFP)in the oxide trench is proposed.The dual VFP modulates the distribution...
[期刊论文] 作者：吴丽娟,章文通,张波,李肇基,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel silicon-on-insulator(SOI) high-voltage pLDMOS is presented with a partial interface equipotential floating buried layer(FBL) and its analytical model is...
High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly
[期刊论文] 作者：伍伟,张波,方健,罗小蓉,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction i...
[会议论文] 作者：陈伟中,张波,李泽宏,刘永,李肇基,
来源：2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份：2013
逆导型绝缘栅晶体管在正向导通时存在由单电子导电模式向双极性导电模式转换的过程,从而带来电流电压输出曲线上的负阻(snapback)现象,继而导致一系列的可靠性问题.本文提出...
[期刊论文] 作者：范杰,张波,罗小蓉,汪志刚,李肇基,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
An analytical model for a novel high voltage silicon-on-insulator device with composite-k(relative permittivity) dielectric buried layer(CK SOI) is proposed. In...
[期刊论文] 作者：王骁玮,罗小蓉,尹超,范远航,周坤,范叶,蔡金勇,罗尹春,张波,李肇基,,
来源：物理学报 年份：2013
本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理.HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,反向阻断时,高k介质对漂移区进行自适应辅助...
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