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[学位论文] 作者：李拂晓,,
来源：东南大学 年份：2006
自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高迁移率等优点,促使了半导体器件向微波/毫米...
[期刊论文] 作者：余家武,李拂晓,,
来源：四川兵工学报 年份：2006
准星和表尺是枪械瞄准的基准，二者在枪上的位置是相互关联的，本文通过对某型自动步枪表尺轮无修锉余量的质量问题的原因分析，技术改进及验证，使该质量问题得到较好地解决。......
[期刊论文] 作者：王会智, 李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5bitGaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,李拂晓,杨乃彬,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动ZxG≤±0．35dB，噪声系数...
[会议论文] 作者：钟世昌,陈堂胜,林罡,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了采用介质辅助T型栅工艺研制的12 mm GaAs功率PHEMT.用一枚这种芯片采用内匹配技术制成Ku波段6 W内匹配管.在13.5～14.0 GHz频带内,饱和输出功率6.45 W,功率增益7.1 d...
[期刊论文] 作者：张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
详细分析并讨论了相位体制数模转换器（DAC）动态参数的表征方法，提出用无杂散动态范围（SFDR）、近区谐波失真（THD6）、有效工作带宽（EWB）、输出信号功率及正交输出信号幅度一致性来全面描......
[期刊论文] 作者：张有涛,夏冠群,高建峰,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
详述了单片超高速2Gbps GaAs 4bit数模转换器（DAC）的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准乃φ76mm GaAs工艺线采用0．5μm全离子注入MESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻...
[期刊论文] 作者：钱峰,陈堂胜,郑远,李拂晓,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率...
[期刊论文] 作者：冯暐,陈堂胜,钱峰,邵凯,李拂晓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势，研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaA sPHEMT工艺实现的10Gb／s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿...
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,李拂晓,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加...
[会议论文] 作者：陈堂胜;焦刚;钟世昌;任春江;陈辰;李拂晓;,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨...
[会议论文] 作者：应海涛,郑远,钱峰,翁长羽,李拂晓,邵凯,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
采用2μm GaInP/GaAs HBT工艺研制了GSM 900MHz制式终端应用功率放大器.放大器为3级,输出级匹配电路在PCB上实现,芯片尺寸:0.9×0.8 mm2.在3.2V、880～915 MHz下,达到:小信号增...
[会议论文] 作者：郑远,钱峰,应海涛,翁长羽,李拂晓,邵凯,
来源：2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2006
利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dBc,高功率模式28dBm...
[期刊论文] 作者：陈新宇, 蒋幼泉, 许正荣, 黄子乾, 李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用GaAspin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAspin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0·6dB,驻波优于1·5,...
[期刊论文] 作者：李拂晓,郑华,郑惟彬,林罡,吴振海,黄庆安,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
采用PCM技术对砷化镓0．5μm PHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控，并对关键工艺节点进行工序能力评价（Cpk），运用统计过程控制（SPC）技术对采集的工艺数据进行分析，实现了开关工......
[期刊论文] 作者：焦世龙,冯暐,陈堂胜,范超,李拂晓,叶玉堂,
来源：电子学报 年份：2006
采用0．51μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器．放大器-3dB带宽约为9．5GHz；在50MHz～7．5GHz范围内，跨阻增益为43．5±1．5dBΩ，输入输出回波损耗均小于-10......
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,黄子乾,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极......
[会议论文] 作者：陈堂胜,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓,王晓亮,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅...
[会议论文] 作者：陈堂胜,王晓亮,焦刚,钟世昌,任春江,陈辰,李拂晓,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率......
[期刊论文] 作者：焦世龙,陈堂胜,蒋幼泉,冯欧,冯忠,杨立杰,李拂晓,陈辰,邵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探......
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