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[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ...
[期刊论文] 作者：俞土法,叶禹康,张闻辉,彭龙新,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
Ｃ波段ＧａＡｓ单片接收机前端俞土法，叶禹康，张闻辉，彭龙新，李拂晓（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１１月１０日收到ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＲｅｃｅｉｖｅｒＦｒｏｎｔＥｎｄ...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ...
[期刊论文] 作者：俞土法,叶禹康,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
Ｃ波段ＧａＡｓ单片接收机前端俞土法，叶禹康，张闻辉，彭龙新，李拂晓（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１１月１０日收到ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＲｅｃｅｉｖｅｒＦｒｏｎｔＥｎｄ...
[期刊论文] 作者：李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
1990年IEEE GaAs IC讨论会于10月7日至10日在美国New Orleans市希拉顿饭店举行.会议共进行了三项议题,10月7日举行了题为“高级GaAs数字IC技术”的短期教程;次日进行大会报告...
[期刊论文] 作者：李拂晓,
来源：天然气技术与经济 年份：1998
投资者将一笔资金投到某个建设项目之中,一要考虑投资所形成的资产除了要获得投资者满意的回报外,还要全部收回其原始投资;二要考虑投资延续的时间较长,需几年甚至十几年,投...
[期刊论文] 作者：李拂晓,G.Post,
来源：半导体学报 年份：2001
采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺，PMMA用作粘片剂，InP衬底粘附于玻璃版上，溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜，HCl+H3PO4腐蚀液实现100μm的通孔腐蚀。已证实这种湿法通孔...
[期刊论文] 作者：李拂晓,孙玉芳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用ＧａＡｓ离子注入工艺，研制了ＧａＡｓＸ／Ｋｕ波段单片功率放大器，放大器末级栅宽７．６ｍｍ，频率９－１３ＧＨｚ，增益大于９．５ｄＢ，输出功率３Ｗ（ｆ＝１１ＧＨｚ时达４Ｗ）效率≥２２％（１１ＧＨｚ时达３０％）。......
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用GaAs 75mm0.7μm离子注入场效应晶体管（MESFET）标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷（DPDT）单片射频开关（以下简称单片开关。成品率分析表明，影响单片开关直流及射频参数成品......
[期刊论文] 作者：李拂晓,张少芳,等,
来源：电子元器件应用 年份：2002
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高，输出功率密度大，效率高，功率增益高等特点，我们研制的0．5μm栅长GaAsPHEMT小功率晶体管，栅宽1mm，直流跨导250ms/mm，栅漏反向击穿电压大于13V，在20G......
[期刊论文] 作者：郑惟彬,李拂晓,等,
来源：微波学报 年份：2001
开关是微波信号变换的关键元件，和传统的半导体开关相比，射频微机电系统（RF MEMS）开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点，而且其制作工艺和传统的CMOS工艺......
[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,李拂晓,
来源：微波学报 年份：2002
MEMS开关以其固有的低功耗、低插损和低交叉调制损耗等特性,在微波领域表现出巨大的应用潜力.但是目前大部分的研究工作都集中在设计新型开关结构和开关制作工艺上,对开关力...
[期刊论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,李拂晓,
来源：微波学报 年份：2001
开关是微波信号变换的关键元件。和传统的半导体开关相比 ,射频微机电系统 (RFMEMS)开关具有优良的高频特性和固有的重量轻、尺寸小、低功耗等优点 ,而且其制作工艺和传统的...
[期刊论文] 作者：苏纪文,王国才,李拂晓,
来源：材料保护 年份：2000
用超硬铝合金ＬＣ4材料加工的特殊产品其外观颜色需要黑色 ,以前采用先进行硬质阳极氧化 ,再用酸性黑ＡＴＴ进行染色的工艺 ,但染色的产品耐候性较差 ,在户外使用 1年后 ,色泽暗淡 ,有......
[会议论文] 作者：章彬,黄庆安,李拂晓,林金庭,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
该文从可行性的角度出发介绍了一种微电子机械系统(MEMS)谐振器的新结构。它利用单晶硅作为扭摆式振动轴进行谐振。主要特点在于设计方法极大地降低了结构和材料的应力因素对...
[会议论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,金玉丰,李拂晓,
来源：第五届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2001
目前对MEMS开关和移相器的研究非常活跃.但是大部分的研究工作都集中在设计不同形状的开关结构和开关制作上,对开关静电力模型的研究还十分不够.文章利用材料力学知识,通过合理的假设和简化,推导出双晶结构梁膜式开关的静电力解析模型,并详细讨论了开关阈值电压......
[期刊论文] 作者：陈堂胜,沈亚,李拂晓,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
报告了一个两级C-波段功率单片电路的设计、制作和性能，该单片电路包括完全的输入端和级间匹配，输出端的匹配在芯片外实现，该放大器在5．2～5．8GHz带内连续波工作，输出功率大于36．6dBm，......
[期刊论文] 作者：李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少缺点,部分原因是由于它们采用混合集成电...
[期刊论文] 作者：李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文主要从事GaAs自对准高温栅全离子注入技术(SAG)的研究,并以此工艺为基础,制作了WSi_xN_y/GaAs SBD,栅长分别是0.8μm和0.5μm的MESFET和GaAs.高速运算放大器差分输入电路...
[期刊论文] 作者：李拂晓,杨乃彬,G.Post,Y.Nissim,A.Falcou,C.Courbet,S.Sanchez,A.Scavennec,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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