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[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,
来源：光子学报 年份：2000
基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟分析，模拟结......
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,
来源：光子学报 年份：2000
基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模......
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,胡辉勇,
来源：光子学报 年份：2002
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过...
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,胡辉勇,
来源：真空科学与技术 年份：2002
介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利...
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