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[期刊论文] 作者：陈刚,王雯,柏松,李哲洋,吴鹏,李宇柱,倪炜江,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工...
[期刊论文] 作者：彭大青,李忠辉,李亮,孙永强,李哲洋,董逊,张东国,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,管邦虎,陈征,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管（VJFET）。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,王雯,贾铃铃,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通......
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