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[期刊论文] 作者：陈刚,秦宇飞,柏松,李哲洋,韩平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延，外延温度1580℃，最后得到了低...
Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating subst
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,李哲洋,吴鹏,陈征,韩平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
In this paper we report on DC and RF simulations and experimental results of 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) on high purity semi-i...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,吴鹏,李哲洋,郑惟彬,钱峰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W...
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