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[期刊论文] 作者：沈慧, 朱大中,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0．6μm CMOS标准工艺制造，包含有大功率MOSFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块，在......
[期刊论文] 作者：施朝霞,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
基于离子敏感场效应晶体管（ISFET）基本结构及其电学特性，提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，p...
[期刊论文] 作者：施朝霞,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
介绍了一种基于上华0．6μmCMOS工艺实现的pH值传感器集成电路的设计和研究，它采用标准CMOS工艺提供的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，并以多层浮栅结构的ISFET作为传感单元．信号处...
[期刊论文] 作者：杨莺,朱大中,,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2006
为了有效避免体波和边缘多次回波寄生效应，提出了一种Y型带倾斜反射器的双声路质量传感器．在输出叉指换能器（IDT）和芯片边缘之间加入反射器，有效抑制了由于芯片端面声阻抗不连续造......
[期刊论文] 作者：刘同,朱大中,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子，并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管相对灵敏度的解析表达式．通过计算机模拟和实验测试结果的验证，进一步完善了扇......
[期刊论文] 作者：朱婷,朱大中,
来源：传感技术学报 年份：2006
新型的细胞外电信号传感芯片是采用0．0Mm标准CMOS工艺设计制造，片上集成了6×6单元有源传感阵列、模拟多路选择器、输出缓冲器、参考源和数字控制电路。有源传感单元面积为...
[期刊论文] 作者：郭清,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁......
[期刊论文] 作者：杨莺,朱大中,
来源：传感技术学报 年份：2006
用P矩阵方法分析带变迹叉指换能器（IDT）和倾斜金属反射栅的高Q值Y型声表面波（SAW）质量沉积传感器的通带纹波，并分别在振荡和非振荡模式下比较了这些传感器的通带纹波和Q值。分析了......
[期刊论文] 作者：朱婷,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
新型的细胞外电信号传感芯片是采用0.6μm标准CMOS工艺设计制造,片上集成了6×6单元有源传感阵列、模拟多路选择器、输出缓冲器、参考源和数字控制电路。有源传感单元面积为6...
[期刊论文] 作者：杨莺,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
用P矩阵方法分析带变迹叉指换能器(IDT)和倾斜金属反射栅的高Q值Y型声表面波(SAW)质量沉积传感器的通带纹波,并分别在振荡和非振荡模式下比较了这些传感器的通带纹波和Q值。...
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,,
来源：电声技术 年份：2006
提出了一种全新的设计方法，它以声表面波滤波器中心频率处的插入损耗和旁瓣抑制作为寻优目标，通过选择、交叉和变异等遗传操作，自动生成声表面波滤波器的输入和输出叉指换能器所......
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,,
来源：电路与系统学报 年份：2006
传统方法设计声表面波滤波器的主要缺点是设计过程复杂。本文提出了一种新的设计方法，它将声表面波滤波器的所有指条结构特征的集合作为染色体，并分成两个基凶段分别编码，采用自......
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,,
来源：电子测量与仪器学报 年份：2006
环境温度对声表面波传感器影响较大,常采用双声路结构补偿环境温度的影响,本文结合声表面波器件结构,设计了一种新的测量系统。它由交替工作的延迟线振荡器、混频电路和数字信号处理电路组成。延迟线振荡器输出信号经滤波后与109MHz的本机晶体振荡器输出信号相......
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,,
来源：现代电子技术 年份：2006
为简化电容加权叉指换能器的设计过程，提出了一种新的设计方法。他将电容加权叉指换能器各指对的两加权电容差值为进化对象，目标频率响应特性和待进化的电容加权叉指换能器的频......
[期刊论文] 作者：章安良,朱大中,,
来源：传感技术学报 年份：2006
为简化变迹叉指换能器设计过程,提出了一种新的变迹叉指换能器的设计方法,它以叉指换能器的中心频率处的插入损耗和旁瓣电平作为寻优目标,叉指换能器的指条长度作为基因,通过...
[期刊论文] 作者：沈慧,郭维,朱大中,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱...
[期刊论文] 作者：孙颖,朱大中,饶源,,
来源：压电与声光 年份：2006
报道了0．6μm CMOS4路可编程加权高频模拟开关集成电路，其开关和加权功能分别由两个高跨导的N沟MOS晶体管实现。模拟开关连续可调的动态加权范围最大为21．3dB，最小插入损耗约为-6......
[期刊论文] 作者：郭清,朱大中,姚韵若,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏......
[期刊论文] 作者：章安良,徐方迁,朱大中,,
来源：电讯技术 年份：2006
提出了极性抽指加权叉指换能器设计的新方法，克服了传统设计方法的繁杂性。将极性抽指加权叉指换能器作为染色体，通过独特的（-1，1）的二值编码，以目标频率响应曲线和待进化的叉指换......
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