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[会议论文] 作者：朱学亮,吴德华,李树强,曲爽,徐现刚,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较...
[会议论文] 作者：朱学亮,吴德华,曲爽,李树强,徐现刚,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较...
[会议论文] 作者：曲爽,李树强,夏伟,徐现刚,朱学亮,李毓锋,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响....
[会议论文] 作者：曲爽,李树强,朱学亮,李毓锋,夏伟,徐现刚,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响....
[期刊论文] 作者：王英民,宁丽娜,彭燕,徐化勇,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2009
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平...
[期刊论文] 作者：王英民,李娟,宁丽娜,高玉强,胡小波,徐现刚,,
来源：Journal of Central South University of Technology 年份：2009
6H-SiC 单身者晶体被升华方法种。外国谷物在晶体的方面上经常发生，这被发现。描绘外国谷物，一纵并且部分切割样品被标准机械处理准备方法。拉曼光谱证实外国谷物实际上是 mis...
MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high p
[期刊论文] 作者：李沛旭,王翎,李树强,夏伟,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2009
In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD),we design a new type quantum well LD with an asymme...
[期刊论文] 作者：李沛旭,王翎,李树强,夏伟,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2009
In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD), we design a new type quantum well LD with an asymmetric cladding structure. The structure is grown by metal organic chemical vapor......
[期刊论文] 作者：马德营,李佩旭,夏伟,李树强,汤庆敏,张新,任忠祥,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2009
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统（LP-MOCVD）生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激...
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