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[学位论文] 作者：张昊翔,,
来源：浙江大学 年份：2001
近年来，宽禁带半导体材料GaN在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于体单晶难以制备，生长高质量的单......
[会议论文] 作者：张昊翔,王宇,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：叶志镇,张昊翔,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用反应蒸发光地在提高缓冲层的生长温度，通过对Ｓｉ基上ＧａＮ样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像（ＨＲＴＥＭ）和界面区域的选区电子衍射（ＳＡＥＤ）分析的基础上，提出了本系统ＧａＮ外延的晶体学位相关系和生长机理。......
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出六方结构的ＧａＮ单昌薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌，结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＭＥ表明外延层表面光亮平整，无裂纹出现，ＸＲＣ图谱上有一ＧａＮ（０００２）衍射峰，其半高......
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,
来源：材料科学与工程 年份：1998
ＳｉＣ材料具有高电流击穿场高饱和电子漂移速率，高热导率等特性，使得ＳｉＣ材料有功率器件领域具有巨大的潜力，本文简单介绍了ＳｉＣ晶体特征和材料的制备及各种ＳｉＣ功率器件结构，性能及当前发展情况，同......
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用真空反应法在硅基上制备出ＧａＮ外延层。利用二次离子质谱和Ｘ射线光电子能谱对ＧａＮ外延层进行了深度剖析和表面分析，结果表明，外延层中Ｇａ和Ｎ分布均匀；在表面处Ｇａ发生了偏聚，外延层中还存在Ｓｉ，Ｏ等......
[会议论文] 作者：张昊翔,叶志镇,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析（定量）和深度剖析（定性），发现外延层Ga和N组份分布......
[会议论文] 作者：叶志镇[1]张昊翔[2],
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度，通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高 分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上，提出了本系统(GaN)外延的晶...
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,赵炳辉,,
来源：真空科学与技术学报 年份：1999
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[会议论文] 作者：卢焕明;叶志镇;张昊翔;,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
该文报道采用简便的真空反应法在硅（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ薄膜，并对ＧａＮ薄膜的成分分布、结晶学性质和光学特性作了研究。外延膜表面光亮平整，无裂纹出现，二次离子质谱表明外延层......
[会议论文] 作者：叶志镇;陈汉鸿;刘榕;张昊翔;,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
利用直流磁控溅射法在SI(111)衬底上制备了C轴择优取向一致的ZnO薄膜，在室温下对薄膜 进行了PL谱和XRD测试，ZnO薄膜的PL谱上的本征紫外光发射(UV)出现分峰现象，并伴有较宽的绿乐...
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,赵炳辉,袁骏,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。利用二次离子质谱和X射线光电子能谱对GaN外延层进行了深度剖析和表面分析。结果表明 ,外延层中Ga和N分布均匀 ;在表面处Ga发生了...
[会议论文] 作者：叶志镇,张昊翔,赵炳辉,刘红学,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
该文分析了硅表面形成的氮化硅层在GaN外延生长中的作用，XPS分析表面衬底在900℃氮气氛中氮化10分钟后，表面覆盖着一层氮化硅，RHEED表明这层氮化硅为非晶态,外延生长后的XRD的测...
[会议论文] 作者：叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度，通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高 分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上，提出了本系统(GaN)外延的晶体学位相关系和生长机理。GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系:GaN//Si,GaN//S......
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉,
来源：半导体光电 年份：1999
报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ｇａ Ｎ 外延层，并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ｇａ Ｎ 外延层的发光特性产生影响。 Ｓｉ（１１１） 衬底比 Ｓｉ（１００） 衬底更有利于 Ｇａ......
[期刊论文] 作者：叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度 ,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像 (HRTEM)和界面区域的选区电子衍射 (SAED)分析的基础上 ,提出了本系统GaN外延...
[期刊论文] 作者：叶志镇,陈汉鸿,刘榕,张昊翔,赵炳辉,
来源：半导体学报 年份：2001
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄...
[会议论文] 作者：张昊翔,叶志镇,赵炳辉,李先杭,汪雷,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了ＧａＮ外延层，利用Ｘ射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析，发现在界面外存在着一层ＧａＮ多晶过渡层，这层过渡层能够有效地......
[会议论文] 作者：张昊翔,叶志镇,赵炳辉,王宇,李嘉炜,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10/cm,迁移率为9.39cm/Vs,从而形...
[期刊论文] 作者：张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层表面光亮平整，无裂纹出现，ＸＲＤ图谱上有一ＧａＮ（０００２）衍射峰，其......
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