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报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层的单色发光。退火使 Ga N 外延层的发光强度降低。在1 050 ℃下生长的 Ga N 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ga N 外延层的发光强度